SemiQ Les plus récent(e)s Semiconducteurs discrets

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SemiQ Modules d'alimentation MOSFET SiC GEN3 1 200 V
SemiQ Modules d'alimentation MOSFET SiC GEN3 1 200 V
08.11.2025
With an isolated backplate, based on third-generation SiC technology, and tested at over 1400V.
SemiQ Dispositifs discrets GEN3 MOSFET SiC 1 200 V
SemiQ Dispositifs discrets GEN3 MOSFET SiC 1 200 V
01.02.2025
Developed to increase performance and cut switching losses in high-voltage applications.
SemiQ Diode GP3D050B170B SCHOTTKY SiC QSiC™ 1 700 V
SemiQ Diode GP3D050B170B SCHOTTKY SiC QSiC™ 1 700 V
08.26.2024
Livrée dans un boîtier TO-247-2L conçu pour répondre aux exigences de taille et de puissance dans une variété d’applications.
SemiQ Modules demi-pont MOSFET SiC 1200 V GCMX
SemiQ Modules demi-pont MOSFET SiC 1200 V GCMX
03.21.2024
Faibles pertes de commutation, faible résistance thermique jonction-boîtier et montage aisé et très robuste.
SemiQ Modules pont complet MOSFET SiC 1200 V GCMX
SemiQ Modules pont complet MOSFET SiC 1200 V GCMX
03.21.2024
Idéal pour les onduleurs photovoltaïques, les systèmes de stockage d’énergie et les convertisseurs CC-CC haute tension.
SemiQ GP2T020A120H 1200V SiC MOSFET
SemiQ GP2T020A120H 1200V SiC MOSFET
11.15.2023
Offers reduced switching losses, higher efficiency, and increased power density.
SemiQ GCMS040B120S1-E1 1200V SiC COPACK Power Module
SemiQ GCMS040B120S1-E1 1200V SiC COPACK Power Module
03.09.2023
The module is simple to drive, very rugged, & easy to mount with high-speed switching SiC MOSFETs.
SemiQ GCMX040B120S1-E1 1200V SiC MOSFET Power Module
SemiQ GCMX040B120S1-E1 1200V SiC MOSFET Power Module
03.09.2023
The module is simple to drive, very rugged, & easy to mount with high-speed switching SiC MOSFETs.
SemiQ GP2T080A120H 1200V SiC MOSFET
SemiQ GP2T080A120H 1200V SiC MOSFET
07.28.2022
Features high-speed switching, a driver source pin for gate driving, and a reliable body diode.
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TDK-Lambda i1R ORing MOSFET Modules
TDK-Lambda i1R ORing MOSFET Modules
02.05.2026
High-efficiency and low-loss power devices designed to replace traditional diodes.
Vishay Diodes de puissance SCHOTTKY en carbure de silicium
Vishay Diodes de puissance SCHOTTKY en carbure de silicium
02.03.2026
Offrent une efficacité, une robustesse et une fiabilité exceptionnelles dans les applications exigeantes d’électronique de puissance.
Vishay SE40CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
Vishay SE40CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
02.03.2026
Designed for demanding power conversion applications
Vishay High Current Density/Voltage Schottky Rectifiers
Vishay High Current Density/Voltage Schottky Rectifiers
02.03.2026
Delivers robust performance for demanding power‑conversion applications.
Diotec Semiconductor BZX84B3V6 SMD Planar Zener Diode
Diotec Semiconductor BZX84B3V6 SMD Planar Zener Diode
02.03.2026
Offers a sharp zener voltage breakdown and a low leakage current.
Vishay SE30CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
Vishay SE30CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
02.03.2026
Engineered for robust performance in demanding power conversion applications.
IXYS X4-Class Power MOSFETs
IXYS X4-Class Power MOSFETs
02.02.2026
Offer low on-state resistance and conduction losses, with improved efficiency.
Qorvo Transistors au GaN avec adaptation d’entrée QPD1014A
Qorvo Transistors au GaN avec adaptation d’entrée QPD1014A
01.20.2026
Transistors discrets HEMT GaN sur SiC avec adaptation d’entrée 50 Ω, 15 W (P 3dB), et fonctionnant de 30 MHz à 1,2 GHz.
IXYS Diodes haute tension et à récupération rapide DP
IXYS Diodes haute tension et à récupération rapide DP
01.20.2026
Diodes SCHOTTKY de 600 V ou 1 200 V avec un courant de fuite inverse faible et un temps de récupération rapide.
Qorvo Transistors GaN avec adaptation d'entrée QPD1011A
Qorvo Transistors GaN avec adaptation d'entrée QPD1011A
01.19.2026
Transistor HEMT discret technologie GaN-sur-SiC avec adaptation d’entrée 50 Ω, 7 W (P3 dB), fonctionnant de 30 MHz à 1,2 GHz.
Qorvo Transistors au GaN avec adaptation d'entrée QPD1004A
Qorvo Transistors au GaN avec adaptation d'entrée QPD1004A
01.19.2026
Le transistor discret au nitrure de gallium sur carbure de silicium à haute mobilité d'éléctrons (HEMT GaN sur SiC), 25 W, avec adaptation d'entrée 50 Ω, fonctionne de 30 MHz à 1 400 MHz sur un rail d’alimentation de 50 V.
Littelfuse Diodes haute fiabilité SM15KPA-HRA et SM30KPA-HRA
Littelfuse Diodes haute fiabilité SM15KPA-HRA et SM30KPA-HRA
01.13.2026
Protègent les interfaces E/S, le bus VCC et d'autres circuits dans les applications d'avionique, d'aviation et d'eVTOL.
Littelfuse Diodes TVS SP432x-01WTG
Littelfuse Diodes TVS SP432x-01WTG
01.08.2026
Offrent une très faible capacité, une protection bidirectionnelle et un niveau de protection élevé.
onsemi MOSFET de puissance à canal N 80 V NVBYST0D6N08X
onsemi MOSFET de puissance à canal N 80 V NVBYST0D6N08X
12.26.2025
Ce dispositif offre un faible QRR et une diode de corps à récupération progressive dans un boîtier TCPAK1012 (TopCool).
Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 6 80 V
Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 6 80 V
12.23.2025
Définit les performances de référence du secteur grâce à une large offre de portefeuille.
onsemi MOSFET N voies double NVMFD5877NL
onsemi MOSFET N voies double NVMFD5877NL
12.19.2025
Conçu pour des conceptions compactes et efficaces, incluant des performances thermiques élevées.
Infineon Technologies MOSFET CoolSiC™ automobile 750 V G2
Infineon Technologies MOSFET CoolSiC™ automobile 750 V G2
12.19.2025
Conçus pour répondre aux exigences strictes des applications dédiées aux véhicules électriques (VE).
STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT080R70ILB
STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT080R70ILB
12.04.2025
Le transistor E-Mode PowerGaN conçu pour des applications de conversion d’énergie à haute efficacité.
onsemi MOSFET NxT2023N065M3S EliteSiC
onsemi MOSFET NxT2023N065M3S EliteSiC
12.04.2025
Présentent une faible capacité de sortie effective et une charge de grille ultra-faible.
Infineon Technologies Transistors discrets 750 V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7
Infineon Technologies Transistors discrets 750 V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7
12.01.2025
Le boîtier DTO247 remplace plusieurs transistors à faible courant dans des boîtiers TO247 connectés en parallèle.
onsemi MOSFET à canal P basse/moyenne tension NTTFS007P02P8
onsemi MOSFET à canal P basse/moyenne tension NTTFS007P02P8
11.25.2025
Conçu avec la technologie PowerTrench pour des performances de commutation avec une RDS(on) extrêmement faible et une grande robustesse.
onsemi MOSFET à petit signal FDC642P-F085
onsemi MOSFET à petit signal FDC642P-F085
11.25.2025
Doté d’une technologie à tranchées haute performance pour une RDS(on) extrêmement faible et d’une vitesse de commutation rapide.
iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs
iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs
11.24.2025
Designed for SMPS and high-efficiency motor drives in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm.
Diotec Semiconductor LDP02-26CAYD2-AQ SMD TVS Diode
Diotec Semiconductor LDP02-26CAYD2-AQ SMD TVS Diode
11.24.2025
Offers 6600 W peak power, fast response, and ISO-16750-2 load-dump test compliance.
Bourns Diodes de suppression de tension transitoire SMLJ-R
Bourns Diodes de suppression de tension transitoire SMLJ-R
11.24.2025
Conçues pour la protection DES et contre les surtensions dans un format de boîtier de puce compact DO-214AB (SMC).
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