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Types de Semi-conducteurs

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ROHM Semiconductor Amplificateur opérationnel LMRx802-LB

11.24.2025

- L’ampli op présente un faible niveau de bruit, une tension de décalage d’entrée faible et un faible courant de polarisation d’entrée.

ROHM Semiconductor Convertisseurs à circuits intégrés BM2P10xJ-ZCC/CC de type PWM

11.03.2025

- Ils comportent un MOSFET intégré de commutation de 730 V et fonctionnent directement sur secteur CA haute tension.

ROHM Semiconductor MOSFET SiC à canal N de 750 V

10.17.2025

- Les dispositifs augmentent la fréquence de commutation, réduisant ainsi les condensateurs, les réacteurs et les autres composants requis.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance automobile RD3x

10.16.2025

- MOSFET AEC-Q101 avec tension directe faible, temps de récupération rapide et capacité de surtension élevée.

ROHM Semiconductor CI convertisseurs CC/CC de type MLI BM2P06xJ-Z

09.26.2025

- Conçu pour les applications d'alimentation CA-CC isolée compactes et efficaces.

ROHM Semiconductor Carte d'évaluation BM3G115MUV-EVK-003

08.27.2025

- Conçue pour évaluer et démontrer les capacités du CI à étage de puissance HEMT BM3G115MUV.

ROHM Semiconductor Carte d'évaluation BM3G107MUV-EVK-003

08.27.2025

- Conçue pour évaluer et démontrer les capacités du CI à étage de puissance HEMT au GaN BM3G107MUV.

ROHM Semiconductor MOSFET à canal P RQxAT

08.21.2025

- Comprennent un boîtier monté en surface avec une faible résistance à l'état passant et sont testés à 100 % Rg et UIS.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance SiC canal N 1 700 V SCT2H12NWB

08.21.2025

- MOSFET SiC avec une tension de source de drain (VDSS) de 1 700 V et un courant de drain continu (ID) de 3,9 A.

ROHM Semiconductor Diode à récupération ultra-rapide RF202LB2S

08.21.2025

- Une diode à récupération ultra-rapide de type planaire épitaxiale en silicium, caractérisée par un faible VF et de faibles pertes de commutation.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance RJ1x10BBG

08.21.2025

- MOSFET de puissance à canal N avec faible résistance à l'état passant et boîtier haute puissance.

ROHM Semiconductor Diodes PIN de qualité automobile RNxMFH

08.21.2025

- Diodes de qualité automobile avec un boîtier surmoulé ultra-compact adapté à la commutation à haute fréquence.

ROHM Semiconductor Diode PIN RN242SM

08.20.2025

- Présente une faible capacité et un boîtier moulé ultra-compact, adapté à la commutation haute fréquence.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance de canal N 40 V RH7G04

08.19.2025

- Ces dispositifs sont des MOSFET de qualité automobile certifiés AEC-Q101, avec une tension de crête VDSS de 40 V et un courant de décharge IDde ±40 A.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance de canal N RH7P04BBKFRA 100 V

08.19.2025

- MOSFET de puissance de qualité automobile avec une tension VDSS de 100 V et un courant ID de ±40 A, conforme à la norme AEC-Q101.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance à canal N RH7L04 60 V

08.19.2025

- MOSFET de qualité automobile homologués AEC-Q101, classés pour 60 V VDSS et ±40 A ID.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance de canal N 40 V RQ3G120BKFRA

08.19.2025

- MOSFET de qualité automobile avec une tension de source de 40 V (VDSS) et un courant de drain continu (ID) de ±12 A, certifié AEC-Q101.

ROHM Semiconductor MOSFET à signal faible et canal P RQ5G040AT -40 V

08.19.2025

- Un MOSFET spécifié pour une tension drain-source de -40 V (VDSS) et un courant de drain continu (ID) de ±4,0 A.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance 60 V à canal N RH7L03

08.19.2025

- MOSFET de qualité automobile avec une tension VDSS de 60 V et un courant ID continu de ±35 A, homologué AEC-Q101.

ROHM Semiconductor Diodes Zener JMZV8.2B de 5 mA

08.19.2025

- Les dispositifs sont livrés dans un boîtier PMDE (petit moule d’alimentation) adapté aux applications de régulation de tension.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance à canal P -60 V RH7L04CBJFRA

08.19.2025

- Un MOSFET de qualité automobile avec une VDSS de -60 V et une ID de ±36 A, homologué AEC-Q101.

ROHM Semiconductor EEPROM SPI BUS BR25G-5

08.19.2025

- Ces dispositifs sont des EEPROM en série 16 kbit avec une interface SPI BUS et 4 millions de cycles d'écriture.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance de canal P -30 V RH7E04BBJFRA

08.19.2025

- MOSFET de qualité automobile avec une tension drain-source (VDSS) de -30 V et un courant drain (ID) de ±40 A, conforme à la norme AEC-Q101.

ROHM Semiconductor Carte d'évaluation LogiCoA003-EVK-001

08.08.2025

- Conçue pour évaluer et démontrer les performances des solutions LogiCoA™.

ROHM Semiconductor 2SCR579D3 Transistor de puissance NPN 1,5 A 160 V

08.06.2025

- Un transistor de puissance avec un faible VCE(sat) et convient comme amplificateur basse fréquence.

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onsemi Arbre d'alimentation du capteur d'image Hyperlux ARX383

02.26.2026

- La famille Hyperlux SG comprend des dispositifs à obturateurs globaux de classe mondiale (VGA, format 1/8” ).

onsemi Arbre d’alimentation du capteur d’image Hyperlux AR0145

02.26.2026

- Famille Hyperlux SG, qui comprend des dispositifs à obturateurs globaux de classe mondiale (1 MP, format 1/4.3”).

Microchip Technology MCP1781 High-Voltage LDO Regulators

02.26.2026

- These devices are suitable for 12V to 48V power rails and high-voltage battery packs.

Navitas Semiconductor NV6428 Bi-Directional GaNFast™ Power Switches

02.26.2026

- Designed to block voltage in both directions using unique substrate clamp technology.

NXP Semiconductors Kit de développement MCXW23-EVK

02.26.2026

- Pour des applications telles que les dispositifs médicaux portables, les appareils électroménagers et l'automatisation/le suivi des actifs.

Vishay Bidirectional eFuse Reference Design

02.26.2026

- Handles voltages up to 950V, a 40A current rating, & is equipped with the required feedback signals.

onsemi Arbre d'alimentation du capteur d'image AR0235 Hyperlux

02.26.2026

- La famille Hyperlux SG, qui comprend des dispositifs à obturateurs globaux de classe mondiale (2,3 MP, format 1/2.8”).

Navitas Semiconductor NV60x GaNFast™ Power FETs

02.26.2026

- Enhancement‑mode GaN power devices engineered for fast‑switching, high‑efficiency power systems.

Navitas Semiconductor NV6427 Bi-Directional GaNFast™ Power Switches

02.26.2026

- Switches are designed to block voltage in both directions, with unique substrate-clamp technology.

Microchip Technology MCP1781 Evaluation Board (EV78D55A)

02.26.2026

- Showcases the MCP1781 device’s performance over a wide input voltage range and load current range.

NXP Semiconductors Carte de module radio MCXW236BUK-RDM

02.26.2026

- Carte d'évaluation/de développement pour le prototypage et la démonstration d'applications du dispositif MCXW236BUK.

NXP Semiconductors FRDM-MCXA344 MCU Development Board

02.25.2026

- Compact and scalable board for rapid prototyping of MCX A343 and A344 microcontroller units (MCUs).

NXP Semiconductors FRDM-MCXA366 MCU Development Board

02.25.2026

- A compact and scalable board for rapid prototyping of MCX A355, A356, A365, and A366 MCUs.

NXP Semiconductors FRDM-MCXA174 MCU Development Board

02.25.2026

- Compact and scalable board for rapid prototyping of MCX A173 and A174 microcontroller units (MCUs).

NXP Semiconductors FRDM-MCXA266 MCU Development Board

02.25.2026

- Board for rapid prototyping of MCX A175, A176, A185, A186, A255, A256, A265 and A266 MCUs.

Infineon Technologies KIT_A3G_TC4D7_LITE AURIX™ A3G Lite Kit

02.25.2026

- Equipped with a 32-bit single-chip AURIX TriCore™ TC4D7 microcontroller.

Analog Devices Inc. Kit d'évaluation TMC2241-EVKIT

02.24.2026

- Permet une évaluation initiale du TMC2241 tout en assurant un contrôle complet de toutes ses fonctionnalités.

STMicroelectronics Carte d'évaluation EVKITST87M01-2

02.24.2026

- Pour le ST87M01-1301, permettant une solution prête à l’emploi pour des applications IoT cellulaire faible puissance.

Advantech Module d’accélération d’IA EAI-2300 MXM Hailo-8™

02.24.2026

- Alimenté par deux NPU Hailo‑8, il offre jusqu’à 52 TOPS de performance d’inférence d’IA efficace.

Littelfuse Diode de protection DES SC3402-02ETG

02.23.2026

- Diode de protection DES à capacité ultra-faible conçue pour protéger les interfaces de données à haute vitesse.

Texas Instruments Triples grilles multifonctions SN74AHCT3G99/-Q1

02.23.2026

- Comporte trois grilles logiques configurables indépendantes avec des sorties à 3 états.

Texas Instruments Triples grilles multifonctions SN74AHC3G99/-Q1

02.23.2026

- Comporte trois grilles logiques configurables indépendantes avec des sorties à 3 états.

Texas Instruments Grilles multifonctions SN74LV3T99/-Q1

02.23.2026

- Les grilles multifonctions intègrent des grilles logiques configurables indépendantes avec des sorties à 3 états.

Texas Instruments Tampons octaux SN74AHCT7541-Q1

02.23.2026

- A une plage de fonctionnement de la tension d'alimentation de 2 V à 5,5 V et est disponible dans un boîtier QFN à flanc mouillable.

Texas Instruments Tampons octaux SN74AHCT9541-Q1

02.23.2026

- Comporte des entrées à bascule de Schmitt compatibles TTL et des sorties à 3 sorties.

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