R1RW0416DSB-2PR#D1

Renesas Electronics
968-R1RW0416DSB2PRD1
R1RW0416DSB-2PR#D1

Fab. :

Description :
SRAM ASYNC. 4M FAST SRAM

Fiche technique:
Modèle de ECAO:
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En stock: 133

Stock:
133 Expédition possible immédiatement
Délai usine :
12 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
17,68 € 17,68 €
16,39 € 163,90 €
15,88 € 397,00 €
15,49 € 774,50 €
15,11 € 1.511,00 €
14,61 € 3.944,70 €
14,24 € 7.689,60 €
1.080 Devis

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Renesas Electronics
Catégorie du produit: SRAM
RoHS:  
4 Mbit
256 k x 16
12 ns
3.6 V
3 V
130 mA
0 C
+ 70 C
SMD/SMT
TSOP-II-44
Tray
Marque: Renesas Electronics
Type de mémoire: SRAM
Sensibles à l’humidité: Yes
Type de produit: SRAM
Nombre de pièces de l'usine: 135
Sous-catégorie: Memory & Data Storage
Type: High Speed
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Attributs sélectionnés: 0

Fiche technique

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TARIC:
8542324500
CAHTS:
8542320030
USHTS:
8542320041
MXHTS:
8542320299
ECCN:
3A991.b.2

SRAM asynchrones

Les SRAM asynchrones de Renesas Electronics sont basées sur une technologie CMOS à haute performance et haute fiabilité. La technologie et les techniques innovantes de conception de circuit fournissent une solution économique pour les besoins en mémoire SRAM asynchrone à haut débit. Les circuits asynchrones entièrement statiques ne nécessitent aucune horloge ni aucun rafraîchissement pour fonctionner. Le Renesas fournit une SRAM asynchrone dans un boîtier RoHS compatible au 6/6 (vert) passant par des options de boîtier standard pour l’industrie.

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