R1RW0416DGE-2PI#B1

Renesas Electronics
968-R1RW0416DGE2PIB1
R1RW0416DGE-2PI#B1

Fab. :

Description :
SRAM SRAM 4MB FAST X16 3V SOJ 12NS -40TO85C

Cycle de vie:
Fin de vie:
Ce produit va devenir obsolète et ne sera plus disponible chez le fabricant.
Modèle de ECAO:
Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Disponibilité

Stock:
Non stocké
Délai usine :
12 Semaines Délai de production estimé en usine.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
10,74 € 10,74 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Renesas Electronics
Catégorie du produit: SRAM
RoHS:  
4 Mbit
256 k x 16
12 ns
3.6 V
3 V
130 mA
- 40 C
+ 85 C
SMD/SMT
SOJ-44
Tray
Marque: Renesas Electronics
Type de mémoire: SRAM
Type de produit: SRAM
Nombre de pièces de l'usine: 18
Sous-catégorie: Memory & Data Storage
Type: High Speed
Produits trouvés:
Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.
Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.
Attributs sélectionnés: 0

Cette fonctionnalité nécessite l'activation de JavaScript.

TARIC:
8542324500
USHTS:
8542320041
ECCN:
3A991.b.2.a

SRAM asynchrones

Les SRAM asynchrones de Renesas Electronics sont basées sur une technologie CMOS à haute performance et haute fiabilité. La technologie et les techniques innovantes de conception de circuit fournissent une solution économique pour les besoins en mémoire SRAM asynchrone à haut débit. Les circuits asynchrones entièrement statiques ne nécessitent aucune horloge ni aucun rafraîchissement pour fonctionner. Le Renesas fournit une SRAM asynchrone dans un boîtier RoHS compatible au 6/6 (vert) passant par des options de boîtier standard pour l’industrie.