MB85RS4MLYPF-G-BCERE1

RAMXEED
249-85S4MLYPFGBCERE1
MB85RS4MLYPF-G-BCERE1

Fab. :

Description :
F-RAM 4Mbit FeRAM, SPI, 1.7-1.95V - SOP8 (208mil) T&R (125C)

Fiche technique:
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RAMXEED
Catégorie du produit: F-RAM
RoHS:  
4 Mbit
SPI
50 MHz
512 k x 8
SOP-8
1.7 V
1.95 V
- 40 C
+ 125 C
Reel
Marque: RAMXEED
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: JP
Sensibles à l’humidité: Yes
Style de montage: SMD/SMT
Tension d'alimentation de fonctionnement: 1.8 V
Type de produit: FRAM
Nombre de pièces de l'usine: 500
Sous-catégorie: Memory & Data Storage
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Attributs sélectionnés: 0

Fiche technique

USHTS:
8542320071
ECCN:
3A991.b.1.b.1

MB85RS4MLY 4M (512K x 8) Bit SPI FRAM

RAMXEED MB85RS4MLY 4M (512K x 8) Bit SPI FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) chip features a configuration of 524,288 words x 8-bits. The devices utilize the ferroelectric and silicon gate CMOS process technologies to form nonvolatile memory cells. The MB85RS4MLY employs a Serial Peripheral Interface (SPI) and is ideal for high-temperature environment applications.

FRAM (Ferroelectric Random Access Memory)

RAMXEED FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory featuring fast writing speed operation, high read/write endurance, and low power consumption. These features make FRAM ideal for applications requiring continuous data logging, real-time recording of three-dimensional position information, and data protection from sudden power outages.

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