DRAM synchrone 3,3 V à débit de données unique (SDR)

La DRAM synchrone 3,3 V à débit de données unique (SDR) d'ISSI fournit une grande sélection de SDRAM SDR avec des densités de 16 Mbits à 512 Mbits en organisations 1Mx16, 4Mx16 et 8Mx16. Chacun de ces dispositifs comprend une tension d'alimentation simple (3,3 V +/-0,3 V), des temporisations d'horloge SDRAM standard, des entrées compatibles LVTTL, des longueurs de rafale programmables de 1, 2, 4, 8 ou pleine page, des modes d'actualisation automatique ou autonome et une latence CAS programmable de 2 ou 3. Les applications habituelles pour ces dispositifs comprennent les points d'accès sans fil, les stations de base, les routeurs, le stockage réseau, la gestion d'énergie, les commandes industrielles, l'infoloisir automobile et la télématique automobile.
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Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Type
Taille de la mémoire
Largeur du bus de données
Fréquence de l'horloge max.
Package/Boîte
Organisation
Temps d'accès
Tension d’alimentation - Min.
Tension d’alimentation - Max.
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Série
Conditionnement
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 64Mx8, 143Mhz, 54 pin TSOP II RoHS, IT, T&R
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 6 Semaines
Min. : 1.500
Mult. : 1.500
Bobine: 1.500

SDRAM 512 Mbit 8 bit 143 MHz TSOP-II-54 64 M x 8 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S86400F Reel
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 64Mx8, 143Mhz, 54 pin TSOP II RoHS, T&R
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 6 Semaines
Min. : 1.500
Mult. : 1.500
Bobine: 1.500

SDRAM 512 Mbit 8 bit 143 MHz TSOP-II-54 64 M x 8 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S86400F Reel
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 32Mx16, 166MHz, 54 ball BGA (8mmx13mm), RoHS
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 20 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

SDRAM 512 Mbit 16 bit 167 MHz BGA-54 32 M x 16 6 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S16320F Reel
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 32Mx16, 166MHz, 54 ball BGA (8mmx13mm), RoHS, IT, T&R
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 20 Semaines
Min. : 2.500
Mult. : 2.500
Bobine: 2.500

SDRAM 512 Mbit 16 bit 167 MHz BGA-54 32 M x 16 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S16320F Reel
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 32Mx16, 143MHz, 54 ball BGA (8mmx13mm), RoHS, IT, T&R
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 20 Semaines
Min. : 2.500
Mult. : 2.500
Bobine: 2.500

SDRAM 512 Mbit 16 bit 143 MHz BGA-54 32 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S16320F Reel
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 32Mx16, 143MHz, 54 ball BGA (8mmx13mm), RoHS, T&R
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 20 Semaines
Min. : 2.500
Mult. : 2.500
Bobine: 2.500

SDRAM 512 Mbit 16 bit 143 MHz BGA-54 32 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S16320F Reel
ISSI DRAM 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 14 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

SDRAM 64 Mbit 32 bit 166 MHz BGA-90 2 M x 32 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C
ISSI DRAM 256M 8Mx32 143Mhz SDR SDRAM, 3.3V
Fiche technique
Non stocké
Min. : 240
Mult. : 240

SDRAM 256 Mbit 32 bit 143 MHz BGA-90 8 M x 32 5.5 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S32800G Tray
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 32Mx8, 166MHz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS
Fiche technique
Non stocké
Min. : 1
Mult. : 1

SDRAM 256 Mbit 8 bit 166 MHz TSOP-II-54 32 M x 8 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S83200G Tray
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 32Mx8, 166MHz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT
Fiche technique
Non stocké
Min. : 1
Mult. : 1

SDRAM 256 Mbit 8 bit 166 MHz TSOP-II-54 32 M x 8 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S83200G Tray
ISSI DRAM 256M 32Mx8 143MHz SDR SDRAM, 3.3V
Fiche technique
Non stocké
Min. : 108
Mult. : 108

SDRAM 256 Mbit 8 bit 143 MHz TSOP-II-54 32 M x 8 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S83200G Tray