FM28V020-SG

Infineon Technologies
877-FM28V020-SG
FM28V020-SG

Fab. :

Description :
F-RAM 256K (32Kx8) 60ns F-RAM

Fiche technique:
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-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:

Prix (EUR)

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12,96 € 12,96 €
12,03 € 120,30 €
11,63 € 290,75 €
11,35 € 567,50 €
10,49 € 1.049,00 €
10,21 € 2.552,50 €
8,20 € 4.428,00 €
7,89 € 8.521,20 €
2.700 Devis

Autre conditionnement

Fab. Numéro de référence:
FM28V020-SGTR
Conditionnement:
Reel, Cut Tape, MouseReel
Disponibilité:
En stock
Prix:
13,00 €
Min.:
1

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F-RAM 256K (32Kx8) 60ns F-RAM
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Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Infineon
Catégorie du produit: F-RAM
RoHS:  
256 kbit
Parallel
32 k x 8
SOIC-28
60 ns
2 V
3.6 V
- 40 C
+ 85 C
FM28V020-SG
Tube
Marque: Infineon Technologies
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: US
Sensibles à l’humidité: Yes
Style de montage: SMD/SMT
Tension d'alimentation de fonctionnement: 3.3 V
Type de produit: FRAM
Nombre de pièces de l'usine: 540
Sous-catégorie: Memory & Data Storage
Poids de l''unité: 2,215 g
Produits trouvés:
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Attributs sélectionnés: 0

Fiche technique

TARIC:
8542329000
CNHTS:
8542329090
CAHTS:
8542320090
USHTS:
8542320071
JPHTS:
8542320905
KRHTS:
8542321040
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99

Parallel F-RAM Non-Volatile Memory

Infineon Technologies Parallel F-RAM Non-Volatile Memory operates similarly to other RAM devices and can be used as a drop-in replacement for a standard SRAM in a system. These F-RAMs read and write similar to a standard SRAM. A ferroelectric random access memory or F-RAM is non-volatile, which means that data is retained after power is removed. It provides data retention for over 151 years while eliminating the reliability concerns, functional disadvantages, and system design complexities of battery-backed SRAM (BBSRAM). Fast write timing and high write endurance make the F-RAM superior to other types of memory. These features make these devices ideal for non-volatile memory applications requiring frequent or rapid writes.

V-Family Low-Power F-RAM

Infineon Technologies V-Family low-power F-RAM devices feature high-performance nonvolatile memory employing an advanced ferroelectric process. Infineon serial F-RAM performs write operations at bus speed, incurs no write delays, and is ideal for nonvolatile memory applications requiring frequent or rapid writes or low power operation. The V-Family parallel F-RAM provides data retention for over 10 years while eliminating the reliability concerns, functional disadvantages, and system design complexities of battery-backed SRAM.

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