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S29GL512T10FHI010

Name: Infineon S29GL512T10FHI010
Brand: Infineon Technologies
SKU: 727-29GL512T10FHI010
Price: 10.12 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

727-29GL512T10FHI010

N° de fab. :

S29GL512T10FHI010

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

Flash NOR PNOR

Fiche technique:

S29GL512T10FHI010 Fiche technique (PDF)

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	10,12 €	10,12 €
	9,43 €	94,30 €
	9,16 €	229,00 €
	8,95 €	447,50 €
	8,32 €	832,00 €
	8,14 €	2.035,00 €
	8,13 €	7.317,00 €
2.700	Devis

Autre conditionnement

Fab. Numéro de référence:

S29GL512T10FHI013

Conditionnement:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilité:

En stock

Prix:

9,20 €

Min.:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	Flash NOR
RoHS:
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	FBGA-64
Série:	S29GL512T
Taille de la mémoire:	512 Mbit
Tension d’alimentation - Min.:	2.7 V
Tension d’alimentation - Max.:	3.6 V
Courant de lecture actif maximal:	60 mA
Type d'interface:	Parallel
Organisation:	64 M x 8/32 M x 16
Largeur du bus de données:	8 bit/16 bit
Type de chronométrage:	Asynchronous
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 85 C
Conditionnement:	Tray
Marque:	Infineon Technologies
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Sensibles à l’humidité:	Yes
Type de produit:	NOR Flash
Vitesse:	100 ns
Nombre de pièces de l'usine:	900
Sous-catégorie:	Memory & Data Storage
Poids de l''unité:	120 mg

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Fiche technique

S29GL512T10FHI010 Fiche technique (PDF)

Statement Regarding the RoHS Compliance of Cypress Products

TARIC:: 8542326100
CNHTS:: 8542329090
CAHTS:: 8542320040
USHTS:: 8542320051
JPHTS:: 854232039
KRHTS:: 8542321090
MXHTS:: 8542320201
ECCN:: 3A991.b.1.a

S29GL01G/512/256/128S MIRRORBIT™ Flash Memory

Infineon Technologies S29GL01G/512/256/128S MIRRORBIT™ Eclipse Flash Memory is optimized for voltage, density, cost-per-bit, reliability, performance, and scalability needs. With densities from 32MB-2GB, each MIRRORBIT Memory Device requires only a single 3.0V power supply for read and write functions. The entire command set is compatible with the JEDEC Flash standards. The MIRRORBIT GL Flash Memory Device family supports Universal Footprint, which provides one footprint across all densities. The flash memory also supports product families and process technologies. This allows manufacturers to design single platform and simple scale Flash memory capacity up or down, depending on features and functionality.

S29GL01GT/512GT MIRRORBIT™ Eclipse™ Flash Memory

Infineon Technologies S29GL01GT / S29GL512GT MIRRORBIT™ Eclipse™ Flash Memory offers a page access time as fast as 15ns with a corresponding random access time as quick as 100ns. These devices feature a write buffer that allows a maximum of 256 words/512 bytes to be programmed in one operation. This feature results in faster effective programming time than standard programming algorithms. The Infineon Technologies S29GL01GT / S29GL512GT is ideal for today’s embedded applications requiring higher density, better performance, and lower power consumption.