Low Power CMOS SRAM

Alliance Memory Low Power Asynchronous Static Random Access Memory (SRAM) devices are fabricated using high-performance, high-reliability CMOS technology. Alliance Memory CMOS SRAM devices are designed for low-power applications and are particularly well-suited for battery backup nonvolatile memory applications. AS6C8008 is a 8,388,608-bit device organized as 1,048,576 words by 8-bits. AS6C1616 is a 16,777,216-bit device organized as 1,048,576 words by 16-bits. AS6C6264A is a 65,536-bit device organized as 8,192 words by 8 bits. AS6C62256 is a 262,144-bit device organized as 32,768 words by 8-bits. Available in different packages/cases.

Résultats: 2
Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Taille de la mémoire Organisation Temps d'accès Type d'interface Tension d’alimentation - Max. Tension d’alimentation - Min. Courant d’alimentation maximal Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Style de montage Package/Boîte Conditionnement
Alliance Memory SRAM 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch SRAM 579En stock
Min. : 1
Mult. : 1

4 Mbit 512 k x 8 55 ns Parallel 5.5 V 2.7 V 60 mA 0 C + 70 C Through Hole PDIP-32 Tube
Alliance Memory SRAM 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch SRAM 297En stock
Min. : 1
Mult. : 1

4 Mbit 512 k x 8 55 ns Parallel 5.5 V 2.7 V 60 mA - 40 C + 85 C Through Hole PDIP-32 Tube