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MAPC-A3005-ASSB1

Name: MACOM MAPC-A3005-ASSB1
Brand: MACOM
SKU: 937-MAPC-A3005-ASSB1
Price: 1509.3 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

937-MAPC-A3005-ASSB1

N° de fab. :

MAPC-A3005-ASSB1

Fab. :

MACOM

Description :

Outils de développement RF Application & Test Fixture, MAPC-A3005

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

MAPC-A3005-ASSB1 Fiche technique (PDF)

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Fabricant:	MACOM
Catégorie du produit:	Outils de développement RF
RoHS:
Produit:	Add-On Boards
Type:	RF Transistor
L'outil sert à l'évaluation de:	MAPC-A3005-AS
Fréquence:	DC to 8 GHz
Marque:	MACOM
Type de produit:	RF Development Tools
Nombre de pièces de l'usine:	1
Sous-catégorie:	Development Tools

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USHTS:: 8542330001
ECCN:: EAR99

GaN on SiC Transistors

MACOM GaN on SiC Transistors are next-generation RF power transistors that deliver industry-leading gain, efficiency, and power in the same compact footprint. These transistors feature 28V operating voltage, up to 8GHz frequency, high efficiency, and high breakdown voltage. The GaN on SiC transistors support high power, gain, and efficiency, while keeping the same footprint, versus previous generations. These transistors are 100% pass-biased JEDEC HAST (JESD22-A110E) and pass-Highly Accelerated Temperature and Humidity Stress Test (HAST). The GaN on SiC transistors are ideal for 2-way private radio, broadband amplifiers, cellular infrastructure, test instrumentation, and general amplification.