BSZ0902NS MOSFET

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Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie Style de montage Package/Boîte Polarité du transistor Nombre de canaux Vds - Tension de rupture drain-source Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Vgs - Tension grille-source Vgs th - Tension de seuil grille-source Qg - Charge de grille Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Pd - Dissipation d’énergie Mode canal Nom commercial Conditionnement
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS 32En stock
15.00015/10/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 5.000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 30 V 106 A 2.8 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 26 nC - 55 C + 150 C 48 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS 100En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 30 V 40 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 24 nC - 55 C + 150 C 48 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS 38En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 30 V 40 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 24 nC - 55 C + 150 C 48 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel