MMBT3904T RSG

Taiwan Semiconductor
821-MMBT3904TRSG
MMBT3904T RSG

Fab. :

Description :
Transistors bipolaires - BJT 60V, 0.2A, NPN Bipolar Transistor

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33
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Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
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Tarif est.:

Prix (EUR)

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Ext. Prix
0,181 € 0,18 €
0,108 € 1,08 €
0,068 € 6,80 €
0,05 € 25,00 €
0,044 € 44,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
0,035 € 105,00 €
0,032 € 192,00 €
0,026 € 234,00 €
0,025 € 600,00 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Taiwan Semiconductor
Catégorie du produit: Transistors bipolaires - BJT
RoHS:  
Si
SMD/SMT
SOT-523-3
NPN
Single
200 mA
40 V
60 V
6 V
300 mV
150 mW
- 55 C
+ 150 C
Reel
Cut Tape
Marque: Taiwan Semiconductor
Courant de collecteur continu : 200 mA
Collecteur de courant continu/Gain hfe min de base: 30
Gain de courant CC hFE max.: 300
Type de produit: BJTs - Bipolar Transistors
Nombre de pièces de l'usine: 3000
Sous-catégorie: Transistors
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Attributs sélectionnés: 0

Codes de conformité
TARIC:
8541210000
CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541210075
JPHTS:
854121000
KRHTS:
8541219000
MXHTS:
8541210100
ECCN:
EAR99
Classifications d’origine
Pays d'origine:
Taïwan
Pays d'origine de l'assemblage:
Non disponible
Pays de diffusion:
Non disponible
Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

MMBT3904T NPN Bipolar Transistor

Taiwan Semiconductor MMBT3904T NPN Bipolar Transistor is an epitaxial planar type transistor with improved electrical conductivity. This transistor is designed with 60V of collector-to-base voltage (VCBO), 40V of collector-to-emitter voltage (VCEO), and 6V of emitter-to-base voltage (VEBO). The MMBT3904T NPN transistor features a collector current of 200mA and a power dissipation (PD) of 150mW. This transistor is halogen-free according to IEC 61249-2-21 standards and RoHS compliant. Some of the applications include consumer electronics, low-frequency amplifiers, and drivers.