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SQJQ112E-T1_GE3

Name: Vishay SQJQ112E-T1_GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SQJQ112E-T1_GE3
Price: 3.97 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

78-SQJQ112E-T1_GE3

N° de fab. :

SQJQ112E-T1_GE3

Fab. :

Vishay Semiconductors

Description :

MOSFET N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

Fiche technique:

SQJQ112E-T1_GE3 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	3,97 €	3,97 €
	2,62 €	26,20 €
	1,87 €	187,00 €
	1,74 €	870,00 €
	1,62 €	1.620,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2000)
	1,47 €	2.940,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Vishay
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	PowerPAK 8 x 8L-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	100 V
Id - Courant continu de fuite:	296 A
Rds On - Résistance drain-source:	2.53 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3.5 V
Qg - Charge de grille:	181 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	600 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Vishay Semiconductors
Configuration:	Single
Temps de descente:	16 ns
Transconductance directe - min.:	45 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	21 ns
Série:	SQJQ
Nombre de pièces de l'usine:	2000
Sous-catégorie:	Transistors
Délai de désactivation type:	67 ns
Délai d'activation standard:	21 ns

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SQJQ112E-T1_GE3 Fiche technique

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET automobiles SQJQ

Les MOSFET automobiles SQJQ Vishay/Siliconix sont des MOSFET de puissance TrenchFET^®à canal N. Ces MOSFET homologués AEC-Q101 sont testés 100 % Rg et commutation inductive desserrée (UIS). Les MOSFET automobiles SQJQ offrent une très faible R_{DS (on)} et fonctionnent dans une plage de température de -55 °C à +175 °C. Ces MOSFET de classe automobile sont disponibles en boîtier PowerPAK^® 8x8L entièrement sans plomb (Pb) avec des configurations simples/doubles. Les applications typiques incluent l’automobile, la gestion de moteur, les entraînements/actionneurs de moteur, les systèmes de carrosserie et la gestion de batterie.