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XPQR3004PB,LXHQ

Name: Toshiba XPQR3004PB,LXHQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-XPQR3004PBLXHQ
Price: 5.87 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

757-XPQR3004PBLXHQ

N° de fab. :

XPQR3004PB,LXHQ

Fab. :

Toshiba

Description :

MOSFET L-TOGL N-CH 40V 400A

Fiche technique:

XPQR3004PB,LXHQ Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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-,-- €

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Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1500)

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MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	5,87 €	5,87 €
	4,21 €	42,10 €
	3,22 €	322,00 €
	3,13 €	3.130,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1500)
	3,08 €	4.620,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Toshiba
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	L-TOGL-9
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	40 V
Id - Courant continu de fuite:	400 A
Rds On - Résistance drain-source:	470 uOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3 V
Qg - Charge de grille:	295 nC
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	750 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Toshiba
Temps de descente:	130 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	65 ns
Nombre de pièces de l'usine:	1500
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	395 ns
Délai d'activation standard:	120 ns

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET N-Channel 40V/80V/100V L-TOGL et S-TOGL AEC-Q

Les MOSFETs N-Channel 40V/80V/100V Toshiba L-TOGL et S-TOGL, qualifiés AEC-Q101, offrent une résistance à l’état passant ultra-faible, un courant de drain élevé et une excellente dissipation thermique. Ceci est réalisé en combinant des boîtiers à forte dissipation thermique [L-TOGL (large empreinte de transistor avec pattes en forme d'aile en M) et S-TOGL (petite empreinte de transistor avec pattes en forme d'aile en M)] avec les processus de puce U-MOS IX-H et U-MOS X-H. Les MOSFET L-TOGL et S-TOGL de Toshiba offrent également une capacité de courant élevé et une forte dissipation thermique pour contribuer à améliorer la densité de puissance dans une large variété d'applications automobiles. Le boîtier L-TOGL est équivalent en taille au boîtier TO-220SM(W) existant. Cependant, le XPQR3004PB améliore considérablement le courant nominal et réduit de manière significative la résistance à l'état passant à 0,23 mΩ standard. L'empreinte optimisée du boîtier L-TOGLs contribue également à améliorer les caractéristiques thermiques par rapport au boîtier TO-220SM(W) de même taille.

MOSFET automobile 40 V 400 A XPQR3004PB

Le MOSFET 40 V XPQR3004PB de Toshiba présente une RDS(ON) de 0,23 mΩ (standard), une capacité de 400 A et une tension de seuil (Vth) comprise entre 2 V à 3 V. Il offre également unetempérature de fonctionnement maximale de +175 °C et un courant de fuite maximal de 10 µA (VDS = 40 V). Le MOSFET XPQR3004PB de Toshiba est proposé dans un boîtier L-TOGL, qui offre une impédance thermique de 0,2 °C/W et une dissipation de puissance de 750 W. Ce dispositif est certifié AEC-Q101 et est idéal pour les applications automobiles, les régulateurs de tension de commutation, les pilotes de moteur et les convertisseurs CC-CC.