IPT60T022S7XTMA1

Infineon Technologies
726-IPT60T022S7XTMA1
IPT60T022S7XTMA1

Fab. :

Description :
MOSFET HIGH POWER_NEW

Modèle de ECAO:
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Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Infineon
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
Si
CoolMOS
Reel
Cut Tape
Marque: Infineon Technologies
Type de produit: MOSFETs
Série: S7T
Nombre de pièces de l'usine: 2000
Sous-catégorie: Transistors
Raccourcis pour l'article N°: IPT60T022S7 -
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Attributs sélectionnés: 0

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TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

MOSFET de puissance à super-jonction CoolMOS™ S7/S7T 600 V

Les MOSFET de puissance à super-jonction CoolMOS™ 600 V S7/S7T d'Infineon Technologies offrent un rapport qualité-prix idéal pour les applications de commutation basse fréquence. Les séries CoolMOS S7 et S7T se caractérisent par de faibles valeurs RDS (on) pour un MOSFET à super-jonction HT, avec une augmentation de l'efficacité énergétique. Les MOSFET CoolMOS S7 et S7T d'Infineon sont optimisés pour les applications de commutation statique et à courant élevé. Les MOSFET sont fournis en boîtier TOLL ou Q-DPAK avec des variantes pour la partie supérieure et la partie inférieure. Les MOSFET CoolMOS SJ S7 ciblent les applications pour lesquelles les pertes de commutation ne sont pas pertinentes. Les dispositifs CoolMOS SJ-S7T intègrent un capteur de température pour améliorer la précision de détection de la température de jonction. Ces composants sont destinés aux solutions à semi-conducteurs, telles que les disjoncteurs à semi-conducteurs et les applications de relais à semi-conducteurs (SSR).