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IMT40R011M2HXTMA1

Name: Infineon IMT40R011M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMT40R011M2HXTMA
Price: 13.04 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

726-IMT40R011M2HXTMA

N° de fab. :

IMT40R011M2HXTMA1

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

IMT40R011M2HXTMA1 Fiche technique (PDF)

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Prix (EUR)

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	13,04 €	13,04 €
	10,09 €	100,90 €
	9,34 €	934,00 €
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	8,18 €	16.360,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	HSOF-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	400 V
Id - Courant continu de fuite:	144 A
Rds On - Résistance drain-source:	16.3 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 10 V, + 25 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.5 V
Qg - Charge de grille:	85 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	429 W
Mode canal:	Enhancement
Marque:	Infineon Technologies
Configuration:	Single
Temps de descente:	9.3 ns
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Produit:	SiC MOSFETS
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	18.3 ns
Nombre de pièces de l'usine:	2000
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Type:	G2 MOSFET
Délai de désactivation type:	29.8 ns
Délai d'activation standard:	15.8 ns
Raccourcis pour l'article N°:	IMT40R011M2H SP005915790

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Fiche technique

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JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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Les MOSFET au carbure de silicium CoolSiC™ 400 V G2 d'Infineon Technologies sont idéalement adaptés aux topologies de commutation dure et résonante. Les MOSFET CoolSiC 400 V d'Infineon ont été spécialement développés pour être utilisés dans l'étage CA/CC des unités alimentation électrique (PSU) des serveurs d'IA et sont également idéaux pour des applications telles que les systèmes solaires et de stockage d'énergie. Les MOSFET CoolSiC s’appuient sur un processus de semi-conducteur à tranchée de pointe optimisé pour permettre à la fois les pertes les plus faibles de l’application et la plus haute fiabilité de fonctionnement.