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IMBG65R022M1HXTMA1

Name: Infineon IMBG65R022M1HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMBG65R022M1HXTM
Price: 12.9 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

726-IMBG65R022M1HXTM

N° de fab. :

IMBG65R022M1HXTMA1

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

Fiche technique:

IMBG65R022M1HXTMA1 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	12,90 €	12,90 €
	9,08 €	90,80 €
	8,21 €	821,00 €
	8,20 €	4.100,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1000)
	7,72 €	7.720,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
Style de montage:	SMD/SMT
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	64 A
Rds On - Résistance drain-source:	30 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 5 V, + 23 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	5.7 V
Qg - Charge de grille:	67 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	300 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	CoolSiC
Marque:	Infineon Technologies
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Produit:	MOSFETs
Type de produit:	SiC MOSFETS
Série:	CoolSiC 650V
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Raccourcis pour l'article N°:	IMBG65R022M1H SP005539143

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Fiche technique

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Product Catalogs

Infineon's Latest Power and Sensing Guide (PDF)

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET CoolSiC™ 650 V

Les MOSFET CoolSiC ™ 650 V Infineon Technologies combinent la force physique du carbure de silicium avec des caractéristiques d’amplification des performances, de fiabilité et de facilité d’utilisation du composant. Grâce à son procédé de semi-conducteur à tranchée de pointe, le MOSFET CoolSiC™ offre les pertes les plus faibles de l’application et la plus haute fiabilité de fonctionnement. CoolSiC est idéal pour une utilisation dans les applications à haute température et dans les environnements difficiles.

MOSFET de puissance à tranchée CoolSiC™ M1 650 V

Les MOSFET de puissance à tranchée CoolSiC ™ M1 650 V d'Infineon Technologies combinent les caractéristiques physiques solides du carbure de silicium avec des caractéristiques uniques qui augmentent la performance, la robustesse et la facilité d'utilisation du dispositif. Les MOSFET CoolSiC M1 s'appuient sur un processus de semiconducteur à tranchée de pointe optimisé pour fournir les pertes d'application les plus faibles et la fiabilité la plus élevée en fonctionnement. Adaptés aux températures élevées et aux opérations difficiles, ces dispositifs permettent le déploiement simplifié et économique d'un système de la plus haute efficacité.