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FF8MR12W1M1HB11BPSA1

Name: Infineon FF8MR12W1M1HB11BPSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-FF8MR12W1M1HB11B
Price: 96.67 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

726-FF8MR12W1M1HB11B

N° de fab. :

FF8MR12W1M1HB11BPSA1

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

Modules à semi-conducteurs discrets CoolSiC MOSFET half-bridge module 1200 V

Fiche technique:

FF8MR12W1M1HB11BPSA1 Fiche technique (PDF)

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	Modules à semi-conducteurs discrets
RoHS:
Type:	Half Bridge
Technologie:	Si
Conditionnement:	Tray
Marque:	Infineon Technologies
Type de produit:	Discrete Semiconductor Modules
Nombre de pièces de l'usine:	24
Sous-catégorie:	Discrete and Power Modules
Nom commercial:	EasyDUAL
Raccourcis pour l'article N°:	FF8MR12W1M1H_B11 SP005634498

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Fiche technique

FF8MR12W1M1HB11BPSA1 Fiche technique (PDF)

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8504409100
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

Alimentation fiable et efficace pour les centres de données

L'alimentation fiable et efficace d'Infineon Technologies pour centres de données est des solutions évolutives avec des puissances nominales d'environ 5 kW à 50/60 kW. Cette solution d'Infineon est idéale pour les alimentations sans interruption (ASI) qui nécessitent une densité de puissance et un rendement énergétique élevés. Ces modules tirent parti de diverses technologies de puce, notamment les IGBT Si, les MOSFET CoolSiC™ hybrides et CoolSiC, pour répondre à diverses exigences de rentabilité et de performances. La gamme Infineon répond aux exigences de tous les niveaux de système d’une ASI avec différentes classes de tension et Infineon prévoit d'étendre son offre pour inclure des classes de puissance nominale moins élevées.

Modules IGBT EasyDUAL™ 1 B

Les modules IGBT EasyDUAL™ 1 B d'Infineon Technologies avec MOSFET CoolSiC™ offrent une très faible inductance parasite et un rendement exceptionnel permettant des fréquences plus élevées, une densité de puissance accrue et des exigences de refroidissement réduites. Les modules demi-pont 1 200 V, 8 mΩ sont dotés d’un capteur de température NTC intégré et de la technologie de contact PressFIT. Le matériau d’interface thermique est disponible sur les variantes xHP_B11. Ces composants disposent de plages de tension de commande de grille recommandées de 0 à 5 V et +15 V à +18 V, de tensions grille-source maximales de +23 V ou -10 V et d’options de résistance drain-source à l'état passant de 17 mΩ ou 33 mΩ. Les brides de fixation intégrées garantissent un montage robuste.