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F3L200R07W2S5FB11BOMA1

Name: Infineon F3L200R07W2S5FB11BOMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-F3L20R07W2S5FB11
Price: 66.24 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

726-F3L20R07W2S5FB11

N° de fab. :

F3L200R07W2S5FB11BOMA1

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

Modules IGBT 650 V, 200 A 3-level IGBT module

Fiche technique:

F3L200R07W2S5FB11BOMA1 Fiche technique (PDF)

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	Modules IGBT
RoHS:
Produit:	SiC IGBT Modules
Configuration:	3-Phase Inverter
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	650 V
Tension de saturation collecteur-émetteur :	1.17 V
Courant collecteur continu de 25 C:	200 A
Courant de fuite gâchette-émetteur:	100 nA
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Conditionnement:	Tray
Marque:	Infineon Technologies
Type de produit:	IGBT Modules
Série:	Trenchstop IGBT5
Nombre de pièces de l'usine:	15
Sous-catégorie:	IGBTs
Technologie:	Si
Nom commercial:	EasyPACK
Raccourcis pour l'article N°:	F3L200R07W2S5F_B11 SP003597026

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8504409100
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

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