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SCTH60N120G2-7

Name: STMicroelectronics SCTH60N120G2-7
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCTH60N120G2-7
Price: 14.17 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

511-SCTH60N120G2-7

N° de fab. :

SCTH60N120G2-7

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 35 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package

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Fiche technique:

SCTH60N120G2-7 Fiche technique (PDF)

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Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	H2PAK-7
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1.2 kV
Id - Courant continu de fuite:	60 A
Rds On - Résistance drain-source:	52 mOhms
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3 V
Qg - Charge de grille:	94 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	390 W
Mode canal:	Enhancement
Marque:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Temps de descente:	14 ns
Conditionnement:	Reel
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	15 ns
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Délai de désactivation type:	32 ns
Délai d'activation standard:	16 ns

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Fiche technique

SCTH60N120G2-7 Fiche technique (PDF)

EOL

Product Discontinuation Notification 2025-8-8 (PDF)

PCN

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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