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GP3T016A120H

Name: SemiQ GP3T016A120H
Brand: SemiQ
SKU: 148-GP3T016A120H
Price: 11.02 EUR
Availability: OutOfStock

Les images sont fournies à titre indicatif
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N° Mouser :

148-GP3T016A120H

N° de fab. :

GP3T016A120H

Fab. :

SemiQ

Description :

SiC MOSFET Gen3 1200V, 16mohm SiC MOSFET, TO-247-4L

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

GP3T016A120H Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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-,-- €

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	11,02 €	11,02 €
	8,23 €	82,30 €
	7,11 €	853,20 €
	6,73 €	3.432,30 €
	5,72 €	5.834,40 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	SemiQ
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-4L
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1.2 kV
Id - Courant continu de fuite:	350 A
Rds On - Résistance drain-source:	23 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 4.5 V, + 18 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4 V
Qg - Charge de grille:	260 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	484 W
Mode canal:	Enhancement
Marque:	SemiQ
Configuration:	Single
Temps de descente:	20 ns
Transconductance directe - min.:	29 S
Conditionnement:	Tube
Produit:	MOSFETs
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	25 ns
Série:	GP3T
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Type de transistor:	1 N-Channel
Type:	SiC MOSFET
Délai de désactivation type:	65 ns
Délai d'activation standard:	21 ns

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Fiche technique

GP3T016A120H Fiche technique (PDF)

USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

Dispositifs discrets GEN3 MOSFET SiC 1 200 V

SEMiQ GEN3 1200V SiC MOSFET Discrete Devices are third-generation SiC MOSFETs and are 20% smaller than SEMiQ’s second-generation SiC MOSFETs. These devices have been developed to increase performance and cut switching losses in high-voltage applications.