TO-3P-3 Semiconducteurs discrets

Types de Semiconducteurs discrets
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Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Type de produit
Technologie
Style de montage
Package/Boîte
STMicroelectronics SCR 30 Amp 800 Volt
Fiche technique
810En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SCRs Through Hole TO-3P-3
STMicroelectronics SCR 40 Amp 600 Volt
Fiche technique
610En stock
1.20012/10/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

SCRs Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET
Fiche technique
791En stock
1.08024/08/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET -26.0 Amps -200V 0.170 Rds
Fiche technique
393En stock
Min. : 1
Mult. : 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET -52.0 Amps -100V 0.050 Rds
Fiche technique
527En stock
Min. : 1
Mult. : 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET 88 Amps 300V 0.04 Rds
Fiche technique
355En stock
Min. : 1
Mult. : 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
Toshiba Transistors bipolaires - BJT POWER TRANSISTOR PC=150W; F=30MHZ
Fiche technique
1.678En stock
2.12526/06/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3
Toshiba Transistors bipolaires - BJT POWER TRANSISTOR PC=150W; F=30MHZ
Fiche technique
3.289En stock
Min. : 1
Mult. : 1

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3
Toshiba Transistors bipolaires - BJT Transistor NPN 230V 15A
Fiche technique
1.284En stock
Min. : 1
Mult. : 1

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3
onsemi Transistors bipolaires - BJT 150W
Fiche technique
1.879En stock
1.35018/12/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Max. : 60

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3
onsemi Transistors bipolaires - BJT 150W
Fiche technique
1.695En stock
1.47016/10/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Max. : 60

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3
onsemi Transistors bipolaires - BJT 200W NPN
Fiche technique
729En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Max. : 40

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3
Toshiba Transistors bipolaires - BJT Pb-F POWER TRANSISTOR TO-3PL PC=150W F=100KHZ
Fiche technique
738En stock
Min. : 1
Mult. : 1

BJTs - Bipolar Transistors Through Hole TO-3P-3
Toshiba Transistors bipolaires - BJT Pb-FPOWERTRANSISTORTO-3PLPC=150WF=100KHZ
Fiche technique
640En stock
Min. : 1
Mult. : 1

BJTs - Bipolar Transistors Through Hole TO-3P-3


Toshiba IGBTs 600V/30A DIS
Fiche technique
137En stock
Min. : 1
Mult. : 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P-3
onsemi Transistors bipolaires - BJT 200W PNP
Fiche technique
141En stock
33024/06/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Max. : 60

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3
onsemi Transistors bipolaires - BJT NPN TO-3P POWER TRANS
Fiche technique
66En stock
Min. : 1
Mult. : 1

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3
Toshiba Transistors bipolaires - BJT NPN 230V 15A
Fiche technique
1.567En stock
16.000Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3
STMicroelectronics SCR 50 Amp 1200 Volt
Fiche technique
134En stock
4.200Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1

SCRs Through Hole TO-3P-3
IXYS Diodes de commutation de signal faible 120 Amps 300V
Fiche technique
28En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Diodes - General Purpose, Power, Switching Through Hole TO-3P-3
IXYS Diodes de commutation de signal faible 60 Amps 200V
Fiche technique
19En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Diodes - General Purpose, Power, Switching Through Hole TO-3P-3
IXYS Diodes de commutation de signal faible 60 Amps 300V
Fiche technique
9En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Diodes - General Purpose, Power, Switching Through Hole TO-3P-3
IXYS Diodes de commutation de signal faible 60 Amps 400V
Fiche technique
30En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Diodes - General Purpose, Power, Switching Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET 110 Amps 100V 0.015 Rds
Fiche technique
89En stock
Min. : 1
Mult. : 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET 14.0 Amps 600 V 0.55 Ohm Rds
Fiche technique
220En stock
Min. : 1
Mult. : 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3