HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

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Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie Style de montage Package/Boîte Polarité du transistor Nombre de canaux Vds - Tension de rupture drain-source Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Vgs - Tension grille-source Vgs th - Tension de seuil grille-source Qg - Charge de grille Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Pd - Dissipation d’énergie Mode canal Qualification Nom commercial Conditionnement

IXYS MOSFET 500V 36A Délai de livraison produit non stocké 37 Semaines
Min. : 300
Mult. : 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 19 A 190 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 93 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO220 200V 50A N-CH X3CLASS Délai de livraison produit non stocké 27 Semaines
Min. : 300
Mult. : 50
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 50 A 30 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 33 nC - 55 C + 150 C 240 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 102 Amps 150V Délai de livraison produit non stocké 23 Semaines
Min. : 300
Mult. : 50
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 150 V 102 A HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 600V 10A Délai de livraison produit non stocké 27 Semaines
Min. : 800
Mult. : 800
Bobine: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 10 A 740 mOhms - 30 V, 30 V 5.5 V 32 nC - 55 C + 150 C 200 W Enhancement HiPerFET Reel
IXYS MOSFET 650V/12A TO-263 Délai de livraison produit non stocké 27 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 12 A 310 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 18.5 nC - 55 C + 150 C 180 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 130 Amps 100V Délai de livraison produit non stocké 23 Semaines
Min. : 300
Mult. : 50
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 130 A 9.1 mOhms HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO263 850V 14A N-CH HIPER Délai de livraison produit non stocké 27 Semaines
Min. : 300
Mult. : 50

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 850 V 14 A 550 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 30 nC - 55 C + 150 C 460 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 500V 16A Délai de livraison produit non stocké 27 Semaines
Min. : 300
Mult. : 50

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 16 A 400 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 36 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET Délai de livraison produit non stocké 26 Semaines
Min. : 300
Mult. : 50

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 500 V 16 A 360 mOhms HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 600V 16A Délai de livraison produit non stocké 26 Semaines
Min. : 300
Mult. : 50
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) HiPerFET Tube
IXYS MOSFET DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-263D2 Non stocké
Min. : 300
Mult. : 50

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 230 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 35 nC - 55 C + 150 C 320 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 650V/18A TO-263 Délai de livraison produit non stocké 27 Semaines
Min. : 300
Mult. : 50

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 18 A 200 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 29 nC - 55 C + 150 C 290 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET Délai de livraison produit non stocké 26 Semaines
Min. : 300
Mult. : 50

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 500 V 20 A 300 mOhms HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO263 600V 22A N-CH POLAR Délai de livraison produit non stocké 27 Semaines
Min. : 300
Mult. : 50
Si HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TrenchT2 HiperFETs Power MOSFET Délai de livraison produit non stocké 23 Semaines
Min. : 300
Mult. : 50
Si SMD/SMT TO-263AA-3 N-Channel 1 Channel 75 V 230 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 178 nC - 55 C + 175 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-263D2 Non stocké
Min. : 300
Mult. : 50

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 24 A 175 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 47 nC - 55 C + 150 C 400 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode Délai de livraison produit non stocké 26 Semaines
Min. : 300
Mult. : 50

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 26 A 240 mOhms HiPerFET Tube
IXYS MOSFET DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-263D2 Non stocké
Min. : 300
Mult. : 50

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 155 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 56 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO263 250V 44A N-CH X3CLASS Délai de livraison produit non stocké 27 Semaines
Min. : 300
Mult. : 50
Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 250 V 44 A 40 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 33 nC - 55 C + 175 C 240 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET Polar3 HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode Non stocké
Min. : 1
Mult. : 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 600 V 4 A 2.2 Ohms HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO263 850V 3.5A N-CH XCLASS Délai de livraison produit non stocké 27 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO263 200V 50A N-CH X3CLASS Délai de livraison produit non stocké 27 Semaines
Min. : 300
Mult. : 50
Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 200 V 50 A 30 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 33 nC - 55 C + 150 C 240 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET Polar3 HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode Non stocké
Min. : 1
Mult. : 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 500 V 5 A 1.65 Ohms HiPerFET Tube
IXYS MOSFET DiscMSFT NChUltrJnctn X3Class TO-263D2 Délai de livraison produit non stocké 27 Semaines
Min. : 300
Mult. : 50

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 200 V 72 A 20 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 55 nC - 55 C + 150 C 320 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO263 150V 76A N-CH TRENCH Délai de livraison produit non stocké 23 Semaines
Min. : 300
Mult. : 50

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 150 V 76 A 22 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 97 nC - 55 C + 175 C 350 W Enhancement HiPerFET Tube