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PMDXB550UNEZ

Name: Nexperia PMDXB550UNEZ
Brand: Nexperia
SKU: 771-PMDXB550UNEZ
Price: 0.74 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

771-PMDXB550UNEZ

N° de fab. :

PMDXB550UNEZ

Fab. :

Nexperia

Description :

MOSFET PMDXB550UNE/SOT1216/DFN1010B-6

Fiche technique:

PMDXB550UNEZ Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Nexperia
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	DFN-1010-6
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	2 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	30 V
Id - Courant continu de fuite:	590 mA
Rds On - Résistance drain-source:	670 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	450 mV
Qg - Charge de grille:	1.05 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	4.03 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Nexperia
Configuration:	Dual
Temps de descente:	3 ns
Transconductance directe - min.:	600 mS
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	7 ns
Nombre de pièces de l'usine:	5000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	2 N-Channel
Délai de désactivation type:	12 ns
Délai d'activation standard:	4 ns
Raccourcis pour l'article N°:	934069326147
Poids de l''unité:	1,290 mg

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Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Malaisie
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

PMDXB550UNE Dual N-Channel MOSFET

Nexperia PMDXB550UNE Dual N-Channel MOSFET is a surface mount device that offers a low threshold voltage. This 30V enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) features exposed drain pad for an excellent thermal conduction and ESD protection. Typical applications include relay driver, high-speed line driver, low-side load switch, and switching circuits. The PMDXB550UNE MOSFET is designed using Trench MOSFET technology and is available in a leadless ultra-small DFN1010B-6 (SOT1216) plastic package.

PRODUITS PRÉSENTÉS

NEXPERIA

MOSFET canal N BUK7Q dans boîtier MLPAK33-WF

Utilise la technologie Trench 9, répond aux exigences AEC-Q101.

MOSFET à tranchée et canal N BUK9Q

Compatible aux niveaux logiques, commutation rapide et entièrement homologuée pour l'automobile selon la norme AEC-Q101 à 175 °C.

MOSFET BUK6Q66-60PJ

FET à canal P dans un boîtier plastique CMS MLPAK33 (SOT8002-3) utilisant la technologie MOSFET Trench.

MOSFET BUK6Q8R2-30PJ

FET à canal P dans un boîtier plastique CMS MLPAK33 (SOT8002-3) utilisant la technologie MOSFET Trench.

MOSFET BUK6Q12-40PJ

FET à canal P dans un boîtier plastique CMS MLPAK33 (SOT8002-3) utilisant la technologie MOSFET à tranchée.

Disponibilité

Stock:: 0

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Sur commande:: 36.000

07/07/2027 attendu

35.000

13/08/2027 attendu
Délai usine :: 53

Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.

Long délai signalé sur ce produit.

Entrez la quantité:

Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 5000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	0,74 €	0,74 €
	0,51 €	5,10 €
	0,323 €	32,30 €
	0,20 €	100,00 €
	0,148 €	148,00 €
	0,132 €	330,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 5000)
	0,114 €	570,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

PMDXB550UNEZ

Fab. : Nexperia

Description : MOSFET PMDXB550UNE/SOT1216/DFN1010B-6

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PMDXB550UNE Dual N-Channel MOSFET

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