PMDXB550UNEZ

Nexperia
771-PMDXB550UNEZ
PMDXB550UNEZ

Fab. :

Description :
MOSFET SOT1216 2NCH 30V .59A

Modèle de ECAO:
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0,148 € 148,00 €
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Nexperia
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DFN-1010-6
N-Channel
2 Channel
30 V
590 mA
670 mOhms
- 8 V, 8 V
450 mV
1.05 nC
- 55 C
+ 150 C
4.03 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marque: Nexperia
Configuration: Dual
Temps de descente: 3 ns
Transconductance directe - min.: 600 mS
Type de produit: MOSFETs
Temps de montée: 7 ns
Nombre de pièces de l'usine: 5000
Sous-catégorie: Transistors
Type de transistor: 2 N-Channel
Délai de désactivation type: 12 ns
Délai d'activation standard: 4 ns
Raccourcis pour l'article N°: 934069326147
Poids de l''unité: 1,290 mg
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Codes de conformité
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
Classifications d’origine
Pays d'origine:
Malaisie
Pays d'origine de l'assemblage:
Non disponible
Pays de diffusion:
Non disponible
Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

PMDXB550UNE Dual N-Channel MOSFET

Nexperia PMDXB550UNE Dual N-Channel MOSFET is a surface mount device that offers a low threshold voltage. This 30V enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) features exposed drain pad for an excellent thermal conduction and ESD protection. Typical applications include relay driver, high-speed line driver, low-side load switch, and switching circuits. The PMDXB550UNE MOSFET is designed using Trench MOSFET technology and is available in a leadless ultra-small DFN1010B-6 (SOT1216) plastic package.