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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Nom commercial
Conditionnement
STMicroelectronics MOSFET N-ch 650 V 0.168 Ohm 18 A MDmesh M5
Fiche technique
4.000Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 18 A 190 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 36 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh V
Fiche technique
2.00012/02/2027 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 9.4 A 220 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 31 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS
Fiche technique
1.68829/01/2027 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 35 A 78 mOhms - 25 V, 25 V 5 V 82 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5
Fiche technique
1.99926/03/2027 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 42 A 63 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 98 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.014 Ohm Mdmesh M5 130A
Fiche technique
Délai de livraison 26 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole Max247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 130 A 17 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 363 nC - 55 C + 150 C 625 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-CH 65V 33A MDMESH
Fiche technique
31En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 33 A 79 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 98 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.098 Ohm 29A MDMesh M5 MOS
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 24 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 28 A 110 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 62.5 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.43 Ohm 9A MDmeshV 710V
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 24 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 9 A 480 mOhms - 25 V, 25 V 5 V 17 nC - 55 C + 150 C 85 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V .0308 Ohm 11A MDmesh V MOS
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 24 Semaines
Min. : 1.000
Mult. : 1.000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 340 mOhms 85 W MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650 Volt 12 Amp
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 24 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 12 A 299 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 31 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Channel 650V 93A 0.019 Ohm Mdmesh M5
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 26 Semaines
Min. : 600
Mult. : 600

Si Through Hole Max247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 96 A 19 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 350 nC - 55 C + 150 C 625 W Enhancement MDmesh Tube