MOSFET au carbure de silicium (SiC) SICWx

Les MOSFET au carbure de silicium (SiC) SICWx de Micro Commercial Components (MCC) sont des MOSFET SiC 650 V à commutation à haute vitesse. Ces MOSFET utilisent la technologie SiC MOSFET et sont bien adaptés aux applications à haute tension, fournissant un fonctionnement fiable dans les environnements industriels difficiles. Les MOSFET SICWx sont conçus avec une faible RDS (on) et une faible charge de grille pour réduire les pertes de commutation et contribuer à une plus grande efficacité générale du système. La conception qui stimule le rendement et le boîtier TO-247 fournissent des performances thermiques supérieures, tandis que les options à 3 ou 4 broches (broche Kelvin-source) améliorent la polyvalence. Les MOSFET SICWx sont fabriqués avec une conception robuste et capables d'être configurés en avalanche pour permettre une meilleure gestion et un meilleur rendement thermiques. Ces MOSFET sont idéalement utilisés dans les alimentations électriques, les télécommunications, les systèmes d’énergie renouvelable et les entraînements à moteurs.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Micro Commercial Components (MCC) SiC MOSFET SiC MOSFET,TO-247AB
Fiche technique
177En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247AB-3 N-Channel 1 Channel 650 V 107 A 35 mOhms - 10 V, + 22 V 3.1 V 275 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) SiC MOSFET SiC MOSFET,TO-247-4
Fiche technique
360En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 107 A 35 mOhms - 10 V, + 22 V 3.1 V 275 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) SiC MOSFET SiC MOSFET,TO-247AB
Fiche technique
336En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247AB-3 N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 65 mOhms - 10 V, + 25 V 2.6 V 121 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) SiC MOSFET SiC MOSFET,TO-247-4
Fiche technique
355En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 65 mOhms - 10 V, + 25 V 2.6 V 121 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) SiC MOSFET SiC MOSFET,TO-247AB
Fiche technique
337En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247AB-3 N-Channel 1 Channel 650 V 32 A 130 mOhms - 10 V, + 25 V 2.6 V 66 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) SiC MOSFET SiC MOSFET,TO-247-4
Fiche technique
360En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 32 A 130 mOhms - 10 V, + 25 V 2.6 V 66 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement