PMV Small Signal N-channel Trench MOSFETs

Nexperia PMV Small Signal N-channel Trench MOSFETs are N-channel enhancement mode Field-Effect Transistors (FET), each in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. They employ Trench MOSFET technology and offer a low threshold voltage and very fast switching. The PMV22EN MOSFET also offers logic-level compatibility. These MOSFETs are ideal for such applications as relay drivers, high-speed line drivers, low-side loadswitches, and switching circuits.

Résultats: 12
Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie Style de montage Package/Boîte Polarité du transistor Nombre de canaux Vds - Tension de rupture drain-source Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Vgs - Tension grille-source Vgs th - Tension de seuil grille-source Qg - Charge de grille Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Pd - Dissipation d’énergie Mode canal Conditionnement
Nexperia MOSFET SOT23 P-CH 30V 2.8A 2.712En stock
3.00022/02/2027 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT TO-236AB-3 P-Channel 1 Channel 30 V 3.4 A 90 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 5.7 nC - 55 C + 150 C 510 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET SOT23 N-CH 60V 1.6A
221.831Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 1.6 A 473 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 2.5 nC - 55 C + 175 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET SOT23 N-CH 20V 6.8A
56.28208/02/2027 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 20 V 8.6 A 20 mOhms - 12 V, 12 V 400 mV 13.4 nC - 55 C + 150 C 1.2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET SOT23 N-CH 30V 6A
188.99508/02/2027 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 7.6 A 21 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 7.2 nC - 55 C + 150 C 1.2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET SOT23 N-CH 30V 5.7A
124.47208/02/2027 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 7.2 A 23 mOhms - 12 V, 12 V 400 mV 12.4 nC - 55 C + 150 C 1.2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET SOT23 N-CH 20V 4.2A
40.952Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT TO-236AB-3 N-Channel 1 Channel 20 V 5.4 A 32 mOhms - 8 V, 8 V 400 mV 6.2 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET SOT23 N-CH 30V 4.1A
32.00008/02/2027 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 5.1 A 42 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 3.6 nC - 55 C + 150 C 1.115 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET SOT23 N-CH 40V 3A
29.99408/02/2027 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 40 V 3 A 75 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 3.6 nC - 55 C + 175 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET SOT23 N-CH 60V 2.2A
29.761Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 2.2 A 117 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 4 nC - 55 C + 175 C 1.26 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET SOT883 N-CH 20V .6A
30.00008/02/2027 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 10.000

Si SMD/SMT DFN-1006-3 N-Channel 1 Channel 20 V 600 mA 470 mOhms - 8 V, 8 V 450 mV 400 pC - 55 C + 150 C 715 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET SOT23 N-CH 30V 4.4A
12.000Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 4.4 A 37 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 5.3 nC - 55 C + 175 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET SOT23 N-CH 30V 3.2A
6.00008/02/2027 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 3.2 A 70 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 2.2 nC - 55 C + 175 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel