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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Wolfspeed Modules MOSFET SiC, Module, 3.3mohm, 650V, TM, Automotive
Fiche technique
30013/11/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

SiC Press Fit N-Channel 1 Channel 650 V 440 A 4.1 mOhms - 8 V, 19 V 3.6 V - 40 C + 175 C
Wolfspeed Modules MOSFET SiC, Module, 3.3mohm, 650V, TM, Automotive, Long Phase Terminals
Fiche technique
30013/11/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

SiC Press Fit N-Channel 1 Channel 650 V 440 A 4.1 mOhms - 8 V, 19 V 3.6 V - 40 C + 175 C
Wolfspeed Modules MOSFET SiC, Module, 4.6mohm, 1200V, TM, Automotive
Fiche technique
30027/11/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

SiC Press Fit N-Channel 1 Channel 1.2 kV 320 A 6.3 mOhms - 8 V, 19 V 3.6 V - 40 C + 175 C
Wolfspeed Modules MOSFET SiC, Module, 4.6mohm, 1200V, TM, Automotive, Long Phase Terminals
Fiche technique
300Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1

SiC Press Fit N-Channel 1 Channel 1.2 kV 320 A 6.3 mOhms - 8 V, 19 V 3.6 V - 40 C + 175 C