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NTMFS3D0N08XT1G

Name: onsemi NTMFS3D0N08XT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFS3D0N08XT1G
Price: 2.3 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

863-NTMFS3D0N08XT1G

N° de fab. :

NTMFS3D0N08XT1G

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

Fiche technique:

NTMFS3D0N08XT1G Fiche technique

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SO-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	80 V
Id - Courant continu de fuite:	154 A
Rds On - Résistance drain-source:	2.6 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3.6 V
Qg - Charge de grille:	28 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	133 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Temps de descente:	6 ns
Transconductance directe - min.:	115 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	8 ns
Série:	NTMFS3D0N08X
Nombre de pièces de l'usine:	1500
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	35 ns
Délai d'activation standard:	24 ns

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PCN

Product Change Notification 2025-2-27 (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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