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FET GaN monocanal LMG3612

Le FET GaN monocanal LMG3612 de Texas Instruments offre une tension drain-source de 650 V et une résistance drain-source de 120 mΩ avec un pilote intégré conçu pour les applications d'alimentation à découpage. Ce circuit intégré combine le FET GaN, le pilote de grille et les fonctionnalités de protection dans un boîtier QFN de 8 mm x 5,3 mm. Le FET GaN LMG3612 présente une charge capacitive de sortie faible qui réduit le temps et l'énergie nécessaires à la commutation du convertisseur de puissance. Le pilote de grille interne de ce transistor régule la tension de commande pour une résistance à l'état passant du FET GaN optimale. Le pilote de grille interne réduit l'inductance totale de la grille et l'inductance de source commune du FET GaN pour des performances de commutation améliorées, y compris l'immunité aux transitoires en mode commun (CMTI). Le FET GaN LMG3612 prend en charge les exigences d'efficacité du convertisseur en faible charge et le fonctionnement en mode rafale avec de faibles courants de repos de 55 µA et des temps de démarrage rapides.