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PSMN038-100HSX

Name: Nexperia PSMN038-100HSX
Brand: Nexperia
SKU: 771-PSMN038-100HSX
Price: 1.79 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
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N° Mouser :

771-PSMN038-100HSX

N° de fab. :

PSMN038-100HSX

Fab. :

Nexperia

Description :

MOSFET SOT1205 100V 21.4A

Fiche technique:

PSMN038-100HSX Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1500)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	1,79 €	1,79 €
	1,14 €	11,40 €
	0,972 €	48,60 €
	0,762 €	76,20 €
	0,602 €	301,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1500)
	0,436 €	654,00 €
	0,402 €	1.206,00 €
	0,386 €	1.737,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Nexperia
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SO-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	2 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	100 V
Id - Courant continu de fuite:	21.4 A
Rds On - Résistance drain-source:	37.6 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4 V
Qg - Charge de grille:	25.9 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	53 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Nexperia
Type de produit:	MOSFETs
Nombre de pièces de l'usine:	1500
Sous-catégorie:	Transistors
Raccourcis pour l'article N°:	934665468115

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USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET à canal N PSMN038

Le MOSFET à canal N PSMN038 de Nexperia est un MOSFET à canal N de niveau standard double logé dans un boîtier LFPAK56D (dual power-SO8). Le MOSFET de Nexperia utilise la technologie TrenchMOS. Le composant dispose d'un IDM à courant de drain de crête élevé et d'une pince en cuivre avec des fils flexibles.