MOSFET au carbure de silicium SCTx0N120

Les MOSFET de puissance au carbure de silicium SCTx0N120 STMicroelectronics sont produits à partir de matériaux de pointe et innovants à grande largeur de bande. Ceci entraîne une résistance en fonctionnement par unité de surface inégalée et de très bonnes performances de commutation presque indépendamment de la température. Les propriétés thermiques exceptionnelles du matériau SiC et le boîtier exclusif HiP247™ permettent aux concepteurs d'utiliser un profil au standard industriel avec des capacités thermiques améliorées. Ces caractéristiques rendent les composants parfaitement adaptés aux applications à haut rendement et à haute densité d'alimentation.

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Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
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Polarité du transistor


STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package
Fiche technique
85En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel


STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HU3PAK package
Fiche technique
73En stock
1.20016/03/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 600

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT HU3PAK-7 N-Channel
STMicroelectronics SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1700 V, 1.0 Ohm typ., 7 A in an HiP247 package
Fiche technique
594En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-3 N-Channel
STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 169 mOhm typ., 20 A in an
Fiche technique
510En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole N-Channel
STMicroelectronics SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac
Fiche technique
1.597En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PowerFLAT-5 N-Channel
STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an H
Fiche technique
593En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-3 N-Channel


STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an HiP247-4 package
Fiche technique
90En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP247-4 N-Channel
STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package
Fiche technique
60027/07/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-4 N-Channel


STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package
Fiche technique
1.200Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-4 N-Channel
STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A
Fiche technique
400Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 600

SiC MOSFETS


STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an H2PAK-7 package
Fiche technique
99622/04/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel
STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A
Fiche technique
1.11310/03/2026 attendu
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 600

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT HU3PAK-7 N-Channel
STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 500 mOhm typ., 12 A in an
Fiche technique
84426/10/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole N-Channel
STMicroelectronics SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247-4 package
Fiche technique
100Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP247-4 N-Channel
STMicroelectronics SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 16 Semaines
Min. : 1.000
Mult. : 1.000
Bobine: 1.000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel
STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 16 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.000

SiC MOSFETS
STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 17 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP247-4 N-Channel
STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 17 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

SiC MOSFETS
STMicroelectronics SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 62 mOhm typ., 36 A in an HiP247 package
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 32 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP247-3 N-Channel
STMicroelectronics SCT055H65G3AG
STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 16 Semaines
Min. : 1.000
Mult. : 1.000
Bobine: 1.000

SiC MOSFETS