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NVTFWS1D9N04XMTAG

Name: onsemi NVTFWS1D9N04XMTAG
Brand: onsemi
SKU: 863-VTFWS1D9N04XMTAG
Price: 1.01 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

863-VTFWS1D9N04XMTAG

N° de fab. :

NVTFWS1D9N04XMTAG

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET 40V T10M IN U8FL PACKAGE

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

NVTFWS1D9N04XMTAG Fiche technique (PDF)

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	1,01 €	1,01 €
	0,666 €	6,66 €
	0,552 €	55,20 €
	0,53 €	265,00 €
	0,525 €	525,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1500)
	0,491 €	736,50 €
	0,465 €	1.395,00 €
	0,458 €	4.122,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	WDFN-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	40 V
Id - Courant continu de fuite:	141 A
Rds On - Résistance drain-source:	1.9 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3.5 V
Qg - Charge de grille:	30 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	74 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Temps de descente:	18 ns
Transconductance directe - min.:	81 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	14 ns
Série:	NVTFWS1D9N04XM
Nombre de pièces de l'usine:	1500
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	10 ns
Délai d'activation standard:	7 ns

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NVTFWS1D9N04XMTAG Fiche technique (PDF)

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET NVTFWS1D9N04XM

Le MOSFET NVTFWS1D9N04XM d'Onsemi offre une faible résistance R_DS(on) et une faible capacité dans un boîtier conforme à la norme AEC-Q101. Le MOSFET a une tension drain-source de 40 V, un courant de drain continu de 141 A et une résistance drain-source de 1,9 mΩ à 10 V. Le MOSFET NVTFWS1D9N04XM d'Onsemi est logé dans un boîtier µ8FL 3,3 mm x 3,3 mm à faible empreinte et est idéal pour les applications d'entraînement de moteur, de protection de batterie et de redressement synchrone.