MOSFET de puissance OptiMOS™ 7 80 V pour l'automobile

Les MOSFET de puissance OptiMOS™ 7 80 V pour l'automobile d'Infineon Technologies sont fabriqués avec la technologie de semiconducteurs de puissance de pointe d'Infineon. Ces MOSFET sont spécialement conçus pour offrir les hautes performances, la qualité et la robustesse nécessaires aux applications automobiles exigeantes. Les MOSFET OptiMOS™ 7 80 V fonctionnent avec une tension de source de grille VGS de ±20 V et une plage de température de -55 °C à +175 °C. Ces MOSFET sont proposés dans un boîtier CMS SSO10T de 5 x 7 mm2 refroidi par le dessus. Le boîtier SSO10T aide les utilisateurs à réaliser des progrès en matière de refroidissement et de densité de puissance. Les MOSFET de puissance 80 V sont classés MSL-1, conformes à la directive RoHS et 100 % avalanche. Ces MOSFET de puissance sont idéaux pour les applications automobiles générales.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Nom commercial
Conditionnement
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power-Transistor
Fiche technique
5.451En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 5.000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 130 A 3.3 mOhms 16 V 2 V 44.3 nC - 55 C + 175 C 118 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET 80 V, N-Ch, 3.60 m max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T (5x7), OptiMOS 7
Fiche technique
2.995En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 2.000

Si SMD/SMT LHDSO-10 N-Channel 1 Channel 80 V 129 A 3.6 mOhms 20 V 3.2 V 36 nC - 55 C + 175 C 118 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power-Transistor
Fiche technique
1.465En stock
10.00002/07/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 5.000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 293 A 1.26 mOhms 20 V 2 V 120 nC - 55 C + 175 C 219 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power-Transistor
Fiche technique
4.134En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 5.000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 210 A 1.8 mOhms 20 V 2 V 79.9 nC - 55 C + 175 C 169 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power-Transistor
Fiche technique
4.403En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 5.000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 177 A 2.4 mOhms 16 V 2 V 65.2 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power-Transistor
Fiche technique
2.443En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 5.000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 130 A 3.3 mOhms 16 V 2 V 44.3 nC - 55 C + 175 C 118 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power-Transistor
Fiche technique
2.286En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 5.000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 99 A 4.6 mOhms 20 V 3.2 V 27.2 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power-Transistor
Fiche technique
4.341En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 5.000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 27 A 28.9 mOhms 16 V 2 V 10.9 nC - 55 C + 175 C 45 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power-Transistor
Fiche technique
2.932En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 5.000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 76 A 7.8 mOhms 20 V 3.2 V 22.2 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power-Transistor
Fiche technique
1.939En stock
5.00003/12/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 5.000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 35 A 17.7 mOhms 16 V 2 V 11.8 nC - 55 C + 175 C 45 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET 80 V, N-Ch, 1.94 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T, OptiMOS 7
Fiche technique
5.284En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 2.000

Si SMD/SMT PG-LHDSO-10-2 N-Channel 1 Channel 80 V 223 A 1.94 mOhms 20 V 3.2 V 68 nC - 55 C + 175 C 180 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET 80 V, N-Ch, 2.44 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T
Fiche technique
5.387En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 2.000

Si SMD/SMT PG-LHDSO-10-1 N-Channel 1 Channel 80 V 186 A 2.44 mOhms 20 V 3.2 V 54 nC - 55 C + 175 C 157 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET 80 V, N-Ch, 4.54 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T, OptiMOS 7
Fiche technique
5.322En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 2.000

Si SMD/SMT PG-LHDSO-10-1 N-Channel 1 Channel 80 V 103 A 4.54 mOhms 20 V 3.2 V 27 nC - 55 C + 175 C 98 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET 80 V, N-Ch, 1.63 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T, OptiMOS 7
Fiche technique
Délai de livraison 26 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1
: 2.000

Si SMD/SMT PG-LHDSO-10-3 N-Channel 1 Channel 80 V 262 A 1.63 mOhms 20 V 3.2 V 83 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 TOLL Automotive Power MOSFET, 80 V
Fiche technique
2.00009/07/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 2.000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 80 V 539 A 0.75 mOhms - 20 V, 20 V 3.2 V 195 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape