iS20M5R5S1T 200V N-channel SuperQ™ Power MOSFETs

iDEAL Semiconductor iS20M5R5S1T 200V N-channel SuperQ™ power MOSFETs are designed for high‑efficiency switching applications. These MOSFETs feature ultra‑low RDS(on) of 5.5mΩ, enabling reduced conduction losses and improved thermal performance. With the low switching losses (QSW and EOSS) and 112nC gate charge, these MOSFETs enhance efficiency in both full‑ and partial‑load conditions. The iS20M5R5S1T MOSFETs are fully UIS‑tested and provide high Short‑Circuit Withstand Capability (SCWC) for improved reliability. These power MOSFETs support a high continuous drain current of 151A, making them suitable for demanding power stages like motor control, synchronous rectification, and SMPS designs.

Résultats: 2
Sélectionner Image Référence
 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Nom commercial
Conditionnement
iDEAL Semiconductor MOSFET SuperQ MOSFET 200 V, 5.5m max, normal threshold level in TOLL package
Fiche technique
1.375En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 2.000

Si SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 200 V 151 A 5.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 112 nC - 55 C + 175 C 314 W Enhancement SuperQ Reel, Cut Tape
iDEAL Semiconductor MOSFET SuperQ MOSFET 200 V, 5.5m max, normal threshold level in TOLL package
Fiche technique
200En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 200 V 151 A 5.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 112 nC - 55 C + 175 C 314 W Enhancement SuperQ Bulk