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Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie Style de montage Package/Boîte Polarité du transistor Nombre de canaux Vds - Tension de rupture drain-source Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Vgs - Tension grille-source Vgs th - Tension de seuil grille-source Qg - Charge de grille Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Pd - Dissipation d’énergie Mode canal Qualification Nom commercial Conditionnement
Vishay / Siliconix MOSFET N-Channel 40V AEC-Q101 Qualified 38.013En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.000

Si SMD/SMT PowerPAK-8x8-4 N-Channel 1 Channel 40 V 200 A 1.3 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 260 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFET 40V Vds 160A Id AEC-Q101 Qualified 13.802En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.000

Si SMD/SMT PowerPAK-8x8-4 N-Channel 1 Channel 40 V 160 A 900 uOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 220 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFET N Ch 80Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified 4.302En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.000

Si SMD/SMT PowerPAK-8x8-4 N-Channel 1 Channel 80 V 150 A 2.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 144 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFET N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified 12.187En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.000

Si SMD/SMT PowerPAK-8x8-4 N-Channel 1 Channel 100 V 135 A 2.8 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 150 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFET N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified 1.214En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.000

Si SMD/SMT PowerPAK-8x8-4 N-Channel 1 Channel 40 V 160 A 900 uOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 220 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel