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IRFB4620PBFXKMA1

Name: Infineon IRFB4620PBFXKMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IRFB4620PBFXKMA1
Price: 0.85 EUR
Availability: Discontinued

N° Mouser :

726-IRFB4620PBFXKMA1

N° de fab. :

IRFB4620PBFXKMA1

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

MOSFET IR FET >60-400V

Cycle de vie:

NRND:

Non recommandé pour de nouvelles conceptions.

Fiche technique:

IRFB4620PBFXKMA1 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-220AB-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	200 V
Id - Courant continu de fuite:	25 A
Rds On - Résistance drain-source:	72.5 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	5 V
Qg - Charge de grille:	25 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	144 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Tube
Marque:	Infineon Technologies
Configuration:	Single
Temps de descente:	14.8 ns
Transconductance directe - min.:	37
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	22.4 ns
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	25.4 ns
Délai d'activation standard:	13.4 ns
Raccourcis pour l'article N°:	IRFB4620PBFXKMA1 SP005745529

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Fiche technique

IRFB4620PBFXKMA1 Fiche technique (PDF)

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Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Royaume-Uni
Pays d'origine de l'assemblage:: Chine
Pays de diffusion:: Royaume-Uni

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

200V to 250V HEXFET® Power MOSFETs

Infineon 200V to 250V HEXFET® Power MOSFETs offer a broad range of MOSFETs in various packages, current and R_DS(on) ratings. These 200V to 250V HEXFET Power MOSFETs utilize the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with fast switching speed and ruggedized device design provides an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

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MOSFET de puissance OptiMOS™ 7 de 100 V pour l'automobile

Dispositifs à canal N de pointe, conçus pour la commutation de puissance à haut rendement.

MOSFET de puissance OptiMOS™ 6 60 V

Offrent des performances supérieures à OptiMOS 5 grâce à une technologie MOSFET de puissance robuste.

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Performances optimisées pour les applications, permettant des performances optimales pour les centres de données, les serveurs et l'IA.

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Il s’agit de MOSFET de puissance à canal N, de niveau normal 80 V ou 100 V avec une résistance de conduction très faible [RDS_(ON)].

MOSFET de puissance OptiMOS™ 7 80 V canal N

Dispositifs de canal N, de niveau normal, 80 V avec une résistance thermique supérieure dans un boîtier PG‑TDSON‑8.

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IRFB4620PBFXKMA1

Fab. : Infineon Technologies

Description : MOSFET IR FET >60-400V

Caractéristiques

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200V to 250V HEXFET® Power MOSFETs

PRODUITS PRÉSENTÉS INFINEON

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