200V to 250V HEXFET® Power MOSFETs

Infineon 200V to 250V HEXFET® Power MOSFETs offer a broad range of MOSFETs in various packages, current and RDS(on) ratings. These 200V to 250V HEXFET Power MOSFETs utilize the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with fast switching speed and ruggedized device design provides an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS
Infineon Technologies IRFB4332PBFXKMA1
Infineon Technologies Infineon TRENCH >=100V Délai de livraison produit non stocké 8 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.000

Infineon Technologies IRFB4620PBFXKMA1
Infineon Technologies MOSFET IR FET >60-400V
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 19 Semaines
Min. : 1.000
Mult. : 1.000