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DMTH6004LPS-13

Name: Diodes Incorporated DMTH6004LPS-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMTH6004LPS-13
Price: 1.88 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

621-DMTH6004LPS-13

N° de fab. :

DMTH6004LPS-13

Fab. :

Diodes Incorporated

Description :

MOSFET 60V N-Ch Enh FET 60Vdss 20Vgss 100A

Fiche technique:

DMTH6004LPS-13 Fiche technique (PDF)

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	1,88 €	1,88 €
	1,30 €	13,00 €
	0,92 €	92,00 €
	0,736 €	368,00 €
	0,713 €	713,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)
	0,676 €	1.690,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Diodes Incorporated
Catégorie du produit:	MOSFET
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	PowerDI5060-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	60 V
Id - Courant continu de fuite:	22 A
Rds On - Résistance drain-source:	3.1 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2 V
Qg - Charge de grille:	96.3 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	2.6 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Diodes Incorporated
Configuration:	Single
Temps de descente:	32.9 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	17.7 ns
Série:	DMTH6004
Nombre de pièces de l'usine:	2500
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	53.5 ns
Délai d'activation standard:	9.9 ns
Poids de l''unité:	96 mg

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Fiche technique

DMTH6004LPS-13 Fiche technique (PDF)

PCN

Environmental Compliance (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

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