MOSFET NextPowerS3 optimisés CEM

Les MOSFET NextPowerS3 optimisés CEM de Nexperia sont logés dans des boîtiers  LFPAK56 à haut rendement et encombrants. Ces MOSFET sont classés Avalanche. Les MOSFET NextPowerS3 prennent en charge une température de jonction maximale de +175°° C. Ces MOSFET sont conformes à la directive RoHS de l'UE. Les MOSFET NextPowerS3 disposent d’une température de brasage maximale de +260 °C et d’une plage de température de stockage de -55 °C à +175 °C. Les applications standard incluent les convertisseurs CC-CC et la commande de moteur CC brushless.

Résultats: 8
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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Nexperia MOSFET SOT669 N-CH 40V 200A
Fiche technique
1.173En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si SMD/SMT Power-SO8-4 N-Channel 1 Channel 40 V 200 A 1.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.05 V 79 nC - 55 C + 175 C 194 W Enhancement
Nexperia MOSFET SOT669 N-CH 40V 180A
Fiche technique
2.076En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si SMD/SMT Power-SO8-4 N-Channel 1 Channel 40 V 180 A 2.1 mOhms - 20 V, 20 V 28 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement
Nexperia MOSFET SOT669 N-CH 40V 180A
Fiche technique
1.893En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si SMD/SMT Power-SO8 N-Channel 1 Channel 40 V 180 A 2.2 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 49 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement
Nexperia MOSFET SOT669 N-CH 40V 160A
Fiche technique
1.867En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si SMD/SMT Power-SO8-4 N-Channel 1 Channel 40 V 160 A 2.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.05 V 56 nC - 55 C + 175 C 147 W Enhancement
Nexperia MOSFET SOT669 N-CH 40V 160A
Fiche technique
1.908En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si SMD/SMT Power-SO8-4 N-Channel 1 Channel 40 V 160 A 2.8 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 147 W Enhancement
Nexperia MOSFET SOT669 N-CH 40V 120A
Fiche technique
1.342En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si SMD/SMT Power-SO8-4 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.05 V 42 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement
Nexperia MOSFET SOT669 N-CH 40V 120A
Fiche technique
929En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si SMD/SMT Power-SO8-4 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 3.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 30 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement
Nexperia MOSFET SOT669 N-CH 40V 200A
Fiche technique
1.945En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si SMD/SMT Power-SO8-4 N-Channel 1 Channel 40 V 200 A 1.9 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 56 nC - 55 C + 175 C 194 W Enhancement