QPC1006

Qorvo
772-QPC1006
QPC1006

Fab. :

Description :
CI commutateurs RF 50W, 0.15-2.8GHz GaN SP3T

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Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Qorvo
Catégorie du produit: CI commutateurs RF
RoHS:  
SP3T
150 MHz
2.8 GHz
0.3 dB to 1 dB
30 dB
+ 275 C
SMD/SMT
QFN-24
GaN
QPC1006
Reel
Marque: Qorvo
Kit de développement: QPC1006EVB
Tension de haut contrôle: - 50 V
Sensibles à l’humidité: Yes
Nombre d'interrupteurs: Single
Courant d'alimentation de fonctionnement: 3 mA
Pd - Dissipation d’énergie : 14 W
Type de produit: RF Switch ICs
Nombre de pièces de l'usine: 100
Sous-catégorie: Wireless & RF Integrated Circuits
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Attributs sélectionnés: 0

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CNHTS:
8542399000
USHTS:
9030820000
ECCN:
5A991.g

Commutateur unipolaire tri-directionnel (SP3T) QPC1006

Le commutateur unipolaire tri-directionnel (SP3T) QPC1006 de Qorvo est fabriqué sur le GaN 0,25 µm QGaN25 de Qorvo sur le processus de production SiC. Fonctionnant de 0,15 à 2,8 GHz, le QPC1006 prend généralement en charge une puissance d'entrée de 50 W à des tensions de contrôle de 0/−40 V pour les opérations CW et RF pulsées. Ce commutateur conserve une faible perte d'insertion, inférieure à 1,0 dB, et une isolation supérieure à 30 dB, ce qui le rend idéal pour les applications de commutation de puissance des plateformes militaires et commerciales. Le QPC1006 de Qorvo est proposé dans un boîtier QFN de 4 mm x 4 mm avec surmoulage en plastique.

GaN Solutions

Qorvo is your smart RF partner for building solutions using Gallium Nitride (GaN) technology. No longer a technology just for defense and aerospace applications, GaN is enabling higher and higher frequencies in more complex applications, such as phased arrays, radar, base transceiver stations for 5G, cable TV (CATV), VSAT, and defense communications. Qorvo provides proven, record-setting GaN circuit reliability and compact, high-efficiency products. This paves the way for more robust performance, lower operating costs and longer operational lifetimes.

GaN Switches

Qorvo Gallium Nitride (GaN) Switches are suited for RF Switching applications and feature high breakdown voltages combined with the low on-resistance and off-state capacitance. This enables a dramatic increases in power handling. GaAs FET switches are widely used in the RF industry, and typically used for power levels on the order of a few watts or less. GaN FETs are able to use the same circuit architectures to handle power levels on the order of tens of watts.