QPD GaN RF Transistors

Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.

Résultats: 41
Sélectionner Image Référence
 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Qorvo FET GaN DC-3.5GHz 100W 28V GaN
Fiche technique
Non stocké
Min. : 25
Mult. : 25

NI-360 N-Channel 28 V 12 A - 7 V, + 2 V - 2.9 V 144 W
Qorvo FET GaN DC-25GHz 7Watt NF 1.3dB GaN
Fiche technique
Commentaire Produit
Délai de livraison produit non stocké 20 Semaines
Min. : 5
Mult. : 5

SMD/SMT DIE N-Channel 80 mA - 40 C + 85 C 8.9 W
Qorvo FET GaN 4-6GHz 5W 32Volt P3dB 38.4 dBm GaN
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 20 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

SMD/SMT QFN-16 32 V 250 mA - 40 C + 85 C
Qorvo FET GaN DC-18GHZ 6W TQGaN25 PAE 71.6% Gain 18dB
Fiche technique
Commentaire Produit
Délai de livraison 16 Semaines
Min. : 50
Mult. : 50

Die N-Channel
Qorvo FET GaN DC-3.5GHz GaN 2X 120W 36Volt
Fiche technique
9En stock
Min. : 1
Mult. : 1

NI-650 N-Channel
Qorvo FET GaN DC-3.5GHz 36Volt GaN 120 Watt Peak
Fiche technique
Non stocké
Min. : 25
Mult. : 25

SMD/SMT NI-360 N-Channel 36 V 12 A 117 W
Qorvo FET GaN DC-3.5GHz 36Volt GaN 120 Watt Peak
Fiche technique
Non stocké
Min. : 25
Mult. : 25

SMD/SMT N-Channel 36 V 12 A 117 W
Qorvo FET GaN DC-18GHZ 25W TQGaN25 PAE 78.3% Gain 18dB
Fiche technique
Commentaire Produit
Délai de livraison produit non stocké 20 Semaines
Min. : 50
Mult. : 50

Die N-Channel
Qorvo FET GaN DC-18GHZ 50W TQGaN25 PAE 69.5% Gain 19dB
Fiche technique
Commentaire Produit
Délai de livraison 20 Semaines
Min. : 50
Mult. : 50

Die N-Channel
Qorvo FET GaN DC-18GHZ 90W TQGaN25 PAE 70.5% Gain 19dB
Fiche technique
Commentaire Produit
Délai de livraison produit non stocké 20 Semaines
Min. : 50
Mult. : 50

Die N-Channel
Qorvo FET GaN DC-3.5GHz 32V GaN PAE 58% at 3.3GHz
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 20 Semaines
Min. : 25
Mult. : 25

Screw Mount NI-360 N-Channel 32 V 7.32 A - 40 C + 85 C 86 W
Qorvo FET GaN DC-12GHz 27W 32V GaN P3dB @ 3GHz 44.5dBm
Fiche technique
Commentaire Produit
Délai de livraison produit non stocké 24 Semaines
Min. : 50
Mult. : 50

SMD/SMT Die N-Channel 32 V 1.7 A - 65 C + 150 C 34.5 W
Qorvo FET GaN 8-12GHz 20W GaN PAE 50% Gain 11dB
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 20 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

SMD/SMT QFN-20 N-Channel 1 Channel 32 V 1.3 A + 225 C 33 W
Qorvo FET GaN 8-12GHz 25W GaN PAE 50% Gain 11dB
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 20 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

SMD/SMT QFN-20 N-Channel 1 Channel 32 V 1.8 A + 225 C 49 W
Qorvo FET GaN DC-3.5GHz 32V GaN PAE 58% at 3.3GHz
Fiche technique
Non stocké
Min. : 25
Mult. : 25

SMD/SMT NI-360 N-Channel 32 V 7.32 A - 40 C + 85 C 86 W
Qorvo T1G4020036-FL
Qorvo FET GaN DC-3.5GHz GaN 2X 120W 36Volt
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 22 Semaines
Min. : 25
Mult. : 25

NI-650 N-Channel