FET GaN – Mouser Luxembourg

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QPD GaN RF Transistors

Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Sélectionner	Image	Référence	Fab.	Description	Fiche technique	Disponibilité	Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.	Qté.	RoHS	Modèle de ECAO	Style de montage	Package/Boîte	Polarité du transistor	Nombre de canaux	Vds - Tension de rupture drain-source	Id - Courant continu de fuite	Vgs - Tension grille-source	Vgs th - Tension de seuil grille-source	Température de fonctionnement min.	Température de fonctionnement max.	Pd - Dissipation d’énergie	Fréquence de fonctionnement max.	Fréquence de fonctionnement min.	Technologie
	FET GaN DC-3.5GHz GaN 2X 120W 36Volt T1G4020036-FS Qorvo Disponibilité restreinte	Fab. Numéro de référence T1G4020036-FS Référence Mouser 772-T1G4020036-FS	Qorvo	FET GaN DC-3.5GHz GaN 2X 120W 36Volt En savoir plus sur Qorvo gan rf transistors	Fiche technique			Disponibilité restreinte				NI-650	N-Channel									3.5 GHz	0 Hz	GaN
	FET GaN 8-12GHz 25W GaN PAE 50% Gain 11dB TGF2979-SM Qorvo Disponibilité restreinte	Fab. Numéro de référence TGF2979-SM Référence Mouser 772-TGF2979-SM	Qorvo	FET GaN 8-12GHz 25W GaN PAE 50% Gain 11dB En savoir plus sur Qorvo tgf2970	Fiche technique			Disponibilité restreinte			SMD/SMT	QFN-20	N-Channel	1 Channel	32 V	1.8 A				+ 225 C	49 W	12 GHz	0 Hz	GaN
	FET GaN DC-12GHz 27W 32V GaN P3dB @ 3GHz 44.5dBm TGF2954 Qorvo Disponibilité restreinte	Fab. Numéro de référence TGF2954 Référence Mouser 772-TGF2954	Qorvo	FET GaN DC-12GHz 27W 32V GaN P3dB @ 3GHz 44.5dBm En savoir plus sur Qorvo tgf gan on sic	Fiche technique Commentaire Produit			Disponibilité restreinte			SMD/SMT	Die	N-Channel		32 V	1.7 A			- 65 C	+ 150 C	34.5 W	15 GHz	0 Hz	GaN-on-SiC
	FET GaN DC-18GHZ 50W TQGaN25 PAE 69.5% Gain 19dB TGF2023-2-10 Qorvo Disponibilité restreinte	Fab. Numéro de référence TGF2023-2-10 Référence Mouser 772-TGF2023-2-10	Qorvo	FET GaN DC-18GHZ 50W TQGaN25 PAE 69.5% Gain 19dB	Fiche technique Commentaire Produit			Disponibilité restreinte				Die	N-Channel									14 GHz	0 Hz	GaN-on-SiC
	FET GaN DC-18GHZ 25W TQGaN25 PAE 78.3% Gain 18dB TGF2023-2-05 Qorvo Disponibilité restreinte	Fab. Numéro de référence TGF2023-2-05 Référence Mouser 772-TGF2023-2-05	Qorvo	FET GaN DC-18GHZ 25W TQGaN25 PAE 78.3% Gain 18dB	Fiche technique Commentaire Produit			Disponibilité restreinte				Die	N-Channel											GaN-on-SiC
	FET GaN DC-18GHZ 90W TQGaN25 PAE 70.5% Gain 19dB TGF2023-2-20 Qorvo Disponibilité restreinte	Fab. Numéro de référence TGF2023-2-20 Référence Mouser 772-TGF2023-2-20	Qorvo	FET GaN DC-18GHZ 90W TQGaN25 PAE 70.5% Gain 19dB	Fiche technique Commentaire Produit			Disponibilité restreinte				Die	N-Channel											GaN-on-SiC
	FET GaN DC-3.5GHz 32V GaN PAE 58% at 3.3GHz TGF2819-FL Qorvo Disponibilité restreinte	Fab. Numéro de référence TGF2819-FL Référence Mouser 772-TGF2819-FL	Qorvo	FET GaN DC-3.5GHz 32V GaN PAE 58% at 3.3GHz	Fiche technique			Disponibilité restreinte			Screw Mount	NI-360	N-Channel		32 V	7.32 A			- 40 C	+ 85 C	86 W	3.5 GHz	0 Hz	GaN
	FET GaN 8-12GHz 20W GaN PAE 50% Gain 11dB TGF2978-SM Qorvo Disponibilité restreinte	Fab. Numéro de référence TGF2978-SM Référence Mouser 772-TGF2978-SM	Qorvo	FET GaN 8-12GHz 20W GaN PAE 50% Gain 11dB En savoir plus sur Qorvo tgf2970	Fiche technique			Disponibilité restreinte			SMD/SMT	QFN-20	N-Channel	1 Channel	32 V	1.3 A				+ 225 C	33 W	12 GHz	0 Hz	GaN
	FET GaN DC-3.5GHz GaN 2X 120W 36Volt Qorvo T1G4020036-FL T1G4020036-FL Qorvo Disponibilité restreinte	Fab. Numéro de référence T1G4020036-FL Référence Mouser 772-T1G4020036-FL	Qorvo	FET GaN DC-3.5GHz GaN 2X 120W 36Volt En savoir plus sur Qorvo gan rf transistors	Fiche technique			Disponibilité restreinte				NI-650	N-Channel									3.5 GHz		GaN