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Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie Style de montage Package/Boîte Polarité du transistor Nombre de canaux Vds - Tension de rupture drain-source Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Vgs - Tension grille-source Vgs th - Tension de seuil grille-source Qg - Charge de grille Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Pd - Dissipation d’énergie Mode canal Nom commercial Conditionnement
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V 4.102En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 150 V 174 A 4.4 mOhms - 20 V, 20 V 4.6 V 67 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V 4.082En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5.000

Si SMD/SMT TTFN-9 N-Channel 1 Channel 150 V 148 A 6.32 Ohms - 10 V, 10 V 3 V 48 nC - 55 C + 150 C 278 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V 2.676En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 150 V 143 A 5.4 mOhms - 20 V, 20 V 4.6 V 55 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V 3.615En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 150 V 190 A 4.3 mOhms - 20 V, 20 V 4.6 V 78 nC - 55 C + 175 C 319 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V 1.781En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 150 V 122 A 6.3 mOhms - 20 V, 20 V 4.6 V 47 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies IPP076N15N5XKSA1
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V 891En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 150 V 112 A 7.6 mOhms - 20 V, 20 V 4.6 V 49 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement Tube