MOSFET de puissance ThunderFET®

Les MOSFET de puissance Vishay Siliconix ThunderFET® offrent les valeurs les plus basses de résistances sous tension de l'industrie pour des MOSFET de 100 V avec une valeur de 4,5 V. En plus de la résistance sous tension et de la charge de grille, les produits offrent la meilleure valeur clé de mérite (FOM) pour les MOSFET des convertisseurs CC-CC dans leur catégorie. Pour les concepteurs, la résistance sous tension plus faible donne des pertes de conduction inférieures et une consommation d'énergie réduite pour des solutions vertes économes en énergie. Ces dispositifs sont optimisés pour la commutation côté primaire et le redressement synchrone côté secondaire des conceptions d'alimentations CC/CC isolées pour les applications des convertisseurs briques et bus de télécommunication. La valeur 4,5 V de la résistance sous tension des MOSFET permet d'envisager une grande variété de CI MLI et de commande de grille.
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Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Nom commercial
Conditionnement
Vishay Semiconductors MOSFET 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
Fiche technique
94En stock
2.40021/09/2026 attendu
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 800

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 100 V 50 A 8.9 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 33 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement ThunderFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFET 100V Vds 20V Vgs TO-220
Fiche technique
1.085En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 131 A 4.8 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 81 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement ThunderFET Tube
Vishay Semiconductors MOSFET 150V Vds 20V Vgs TO-220
Fiche technique
1.95023/03/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 150 V 128 A 7.8 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 95 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement ThunderFET Tube
Vishay Semiconductors MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-75
Fiche technique
33.000Sur commande
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT SC-75-6 N-Channel 1 Channel 100 V 6.3 A 153 mOhms - 20 V, 20 V 1.6 V 5 nC - 55 C + 150 C 13 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFET 100V Vds 20V Vgs TO-220 FULLPAK
Fiche technique
Non stocké
Min. : 1.000
Mult. : 1.000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 42.8 A 9.3 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 33 nC - 55 C + 150 C 35.7 W Enhancement ThunderFET Tube