SiC MOSFET – Mouser Luxembourg

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650V 3rd Gen SiC MOSFETs

STMicroelectronics 650V 3rd Generation Silicon Carbide (SiC) MOSFETs feature low on-state resistance (R_DS(on)) per area, even at high temperatures, and excellent switching performance. This translates into more efficient and compact systems. The SiC MOSFETs feature excellent switching performance over IGBTs, simplifying the thermal design of power electronic systems. These 650V SiC MOSFETs have been developed using ST’s advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The low RDS(on), low capacitances, and high switching operations improve application performance in frequency, energy efficiency, system size, and weight reduction.

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Référence

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package

SCT027H65G3AG
STMicroelectronics
1: 10,92 €
964En stock
Nouveau produit

Fab. Numéro de référence
SCT027H65G3AG

Référence Mouser
511-SCT027H65G3AG

Nouveau produit

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package

Fiche technique

964En stock

Bande coupée

10,92 €

7,64 €

6,64 €

Bobine

6,20 €

Devis

Min. : 1
Mult. : 1

: 1.000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

650 V

60 A

39.3 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

48.6 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package

SCT055TO65G3
STMicroelectronics
1: 7,34 €
1.764En stock
Nouveau produit

Fab. Numéro de référence
SCT055TO65G3

Référence Mouser
511-SCT055TO65G3

Nouveau produit

STMicroelectronics

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package

Fiche technique

1.764En stock

Bande coupée

7,34 €

5,03 €

4,44 €

4,03 €

3,69 €

Bobine

3,69 €

Min. : 1
Mult. : 1

: 1.800

SMD/SMT

TOLL-8

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

72 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

31 nC

- 55 C

+ 175 C

234 W

Enhancement

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package

SCT040TO65G3
STMicroelectronics
1: 8,25 €
37En stock
1.80029/06/2026 attendu
Nouveau produit

Fab. Numéro de référence
SCT040TO65G3

Référence Mouser
511-SCT040TO65G3

Nouveau produit

STMicroelectronics

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package

Fiche technique

37En stock

1.80029/06/2026 attendu

Bande coupée

8,25 €

6,21 €

4,61 €

4,59 €

4,44 €

Bobine

4,30 €

Min. : 1
Mult. : 1

: 1.800

SMD/SMT

TOLL-8

N-Channel

1 Channel

650 V

35 A

63 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

42.5 nC

- 55 C

+ 175 C

288 W

Enhancement

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

SCT018H65G3AG
STMicroelectronics
1: 13,31 €
160En stock

Fab. Numéro de référence
SCT018H65G3AG

Référence Mouser
511-SCT018H65G3AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

Fiche technique

160En stock

Bande coupée

13,31 €

9,40 €

9,05 €

8,57 €

Bobine

8,00 €

MouseReel disponible

Min. : 1
Mult. : 1

: 1.000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

650 V

55 A

27 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

79.4 nC

- 55 C

+ 175 C

385 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package

SCT018W65G3-4AG
STMicroelectronics
1: 15,36 €
505En stock

Fab. Numéro de référence
SCT018W65G3-4AG

Référence Mouser
511-SCT018W65G3-4AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package

Fiche technique

505En stock

15,36 €

11,38 €

8,08 €

Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

55 A

27 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

77 nC

- 55 C

+ 200 C

398 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

SCT040W65G3-4
STMicroelectronics
1: 9,31 €
537En stock

Fab. Numéro de référence
SCT040W65G3-4

Référence Mouser
511-SCT040W65G3-4

STMicroelectronics

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

Fiche technique

537En stock

9,31 €

5,57 €

5,30 €

5,05 €

Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole

HiP247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

63 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

37.5 nC

- 55 C

+ 200 C

240 W

Enhancement

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

SCT040W65G3-4AG
STMicroelectronics
1: 10,78 €
481En stock

Fab. Numéro de référence
SCT040W65G3-4AG

Référence Mouser
511-SCT040W65G3-4AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

Fiche technique

481En stock

10,78 €

7,81 €

6,39 €

6,38 €

6,08 €

Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole

HiP247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

63 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

37.5 nC

- 55 C

+ 200 C

240 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

SCT055W65G3-4AG
STMicroelectronics
1: 12,74 €
30En stock
600Sur commande

Fab. Numéro de référence
SCT055W65G3-4AG

Référence Mouser
511-SCT055W65G3-4AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

Fiche technique

30En stock

600Sur commande

12,74 €

10,14 €

9,20 €

6,07 €

Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

72 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

32 nC

- 55 C

+ 200 C

210 W

Enhancement

AEC-Q100

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A

SCT040H65G3AG
STMicroelectronics
1: 9,74 €
879En stock

Fab. Numéro de référence
SCT040H65G3AG

Référence Mouser
511-SCT040H65G3AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A

Fiche technique

879En stock

Bande coupée

9,74 €

6,75 €

5,70 €

Bobine

5,32 €

MouseReel disponible

Min. : 1
Mult. : 1

: 1.000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

40 mOhms

- 10 V, + 22 V

4.2 V

39.5 nC

- 55 C

+ 175 C

221 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mOhm (typ., TJ = 25 C) in an HiP24

SCTW90N65G2V
STMicroelectronics
1: 19,97 €
42En stock
60007/05/2026 attendu

Fab. Numéro de référence
SCTW90N65G2V

Référence Mouser
511-SCTW90N65G2V

STMicroelectronics

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mOhm (typ., TJ = 25 C) in an HiP24

Fiche technique

42En stock

60007/05/2026 attendu

19,97 €

18,90 €

17,40 €

17,39 €

Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole

HiP-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

90 A

25 mOhms

- 10 V, + 22 V

1.9 V

157 nC

- 55 C

+ 200 C

390 W

Enhancement

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

SCT018H65G3-7
STMicroelectronics
1.000: 7,60 €
Délai de livraison produit non stocké 21 Semaines
Nouveau produit

Fab. Numéro de référence
SCT018H65G3-7

Référence Mouser
511-SCT018H65G3-7

Nouveau produit

STMicroelectronics

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

Fiche technique

Délai de livraison produit non stocké 21 Semaines

Bobine

7,60 €

Min. : 1.000
Mult. : 1.000

: 1.000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

650 V

55 A

27 mOhms

-10 V, 22 V

4.2 V

79.4 nC

- 55 C

+ 175 C

385 W

Enhancement

650V 3rd Gen SiC MOSFETs

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