SiC MOSFET – Mouser Luxembourg

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

650V 3rd Gen SiC MOSFETs

STMicroelectronics 650V 3rd Generation Silicon Carbide (SiC) MOSFETs feature low on-state resistance (R_DS(on)) per area, even at high temperatures, and excellent switching performance. This translates into more efficient and compact systems. The SiC MOSFETs feature excellent switching performance over IGBTs, simplifying the thermal design of power electronic systems. These 650V SiC MOSFETs have been developed using ST’s advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The low RDS(on), low capacitances, and high switching operations improve application performance in frequency, energy efficiency, system size, and weight reduction.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Résultats: 10

Filtres appliqués:

Style de montage

Package/Boîte

Id - Courant continu de fuite

Rds On - Résistance drain-source

Vgs - Tension grille-source

Vgs th - Tension de seuil grille-source

Qg - Charge de grille

Température de fonctionnement max.

Pd - Dissipation d’énergie

Qualification

Tout réinitialiser

Rechercher parmi les résultats

En stock

Normalement en stock

Actif

Nouveaux produits

RoHS : conforme

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Référence

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package

SCT027H65G3AG
STMicroelectronics
1: 11,70 €
556En stock
1.00002/04/2027 attendu

Fab. Numéro de référence
SCT027H65G3AG

Référence Mouser
511-SCT027H65G3AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package

Fiche technique

556En stock

1.00002/04/2027 attendu

Bande coupée

11,70 €

6,66 €

6,64 €

Bobine

6,28 €

Min. : 1
Mult. : 1

: 1.000

SMD/SMT

H2PAK-7

1 Channel

650 V

60 A

39.3 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

48.6 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

SCT040W65G3-4
STMicroelectronics
1: 10,00 €
467En stock

Fab. Numéro de référence
SCT040W65G3-4

Référence Mouser
511-SCT040W65G3-4

STMicroelectronics

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

Fiche technique

467En stock

10,00 €

5,48 €

5,11 €

Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole

HiP247-4

1 Channel

650 V

30 A

63 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

37.5 nC

- 55 C

+ 200 C

240 W

Enhancement

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

SCT040W65G3-4AG
STMicroelectronics
1: 11,54 €
429En stock

Fab. Numéro de référence
SCT040W65G3-4AG

Référence Mouser
511-SCT040W65G3-4AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

Fiche technique

429En stock

11,54 €

7,71 €

7,16 €

6,17 €

Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole

HiP247-4

1 Channel

650 V

30 A

63 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

37.5 nC

- 55 C

+ 200 C

240 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package

SCT055TO65G3
STMicroelectronics
1: 7,87 €
1.404En stock

Fab. Numéro de référence
SCT055TO65G3

Référence Mouser
511-SCT055TO65G3

STMicroelectronics

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package

Fiche technique

1.404En stock

Bande coupée

7,87 €

4,31 €

4,03 €

3,73 €

Bobine

3,73 €

Min. : 1
Mult. : 1

: 1.800

SMD/SMT

TOLL-8

1 Channel

650 V

30 A

72 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

31 nC

- 55 C

+ 175 C

234 W

Enhancement

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

SCT018H65G3AG
STMicroelectronics
1: 14,25 €
26En stock
1.00030/04/2027 attendu

Fab. Numéro de référence
SCT018H65G3AG

Référence Mouser
511-SCT018H65G3AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

Fiche technique

26En stock

1.00030/04/2027 attendu

Bande coupée

14,25 €

8,57 €

Bobine

8,10 €

MouseReel disponible

Min. : 1
Mult. : 1

: 1.000

SMD/SMT

H2PAK-7

1 Channel

650 V

55 A

27 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

79.4 nC

- 55 C

+ 175 C

385 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A

SCT040H65G3AG
STMicroelectronics
1: 10,41 €
638En stock

Fab. Numéro de référence
SCT040H65G3AG

Référence Mouser
511-SCT040H65G3AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A

Fiche technique

638En stock

Bande coupée

10,41 €

5,86 €

5,70 €

Bobine

5,39 €

MouseReel disponible

Min. : 1
Mult. : 1

: 1.000

SMD/SMT

1 Channel

650 V

30 A

40 mOhms

- 10 V, + 22 V

4.2 V

39.5 nC

- 55 C

+ 175 C

221 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package

SCT040TO65G3
STMicroelectronics
1: 8,84 €
8En stock
1.80029/01/2027 attendu

Fab. Numéro de référence
SCT040TO65G3

Référence Mouser
511-SCT040TO65G3

STMicroelectronics

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package

Fiche technique

8En stock

1.80029/01/2027 attendu

Bande coupée

8,84 €

4,90 €

4,57 €

4,54 €

4,39 €

Bobine

4,30 €

Min. : 1
Mult. : 1

: 1.800

SMD/SMT

TOLL-8

1 Channel

650 V

35 A

63 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

42.5 nC

- 55 C

+ 175 C

288 W

Enhancement

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

SCT055W65G3-4AG
STMicroelectronics
1: 11,76 €
1En stock
60030/10/2026 attendu

Fab. Numéro de référence
SCT055W65G3-4AG

Référence Mouser
511-SCT055W65G3-4AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

Fiche technique

1En stock

60030/10/2026 attendu

11,76 €

8,80 €

8,05 €

6,97 €

Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole

HiP-247-4

1 Channel

650 V

30 A

72 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

32 nC

- 55 C

+ 200 C

210 W

Enhancement

AEC-Q100

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package

SCT018W65G3-4AG
STMicroelectronics
1: 16,06 €
60030/07/2027 attendu

Fab. Numéro de référence
SCT018W65G3-4AG

Référence Mouser
511-SCT018W65G3-4AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package

Fiche technique

60030/07/2027 attendu

16,06 €

10,44 €

9,72 €

8,61 €

Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole

HiP-247-4

1 Channel

650 V

55 A

27 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

77 nC

- 55 C

+ 200 C

398 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

SCT018H65G3-7
STMicroelectronics
1: 13,55 €
Délai de livraison produit non stocké 25 Semaines
Nouveau produit

Fab. Numéro de référence
SCT018H65G3-7

Référence Mouser
511-SCT018H65G3-7

Nouveau produit

STMicroelectronics

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

Fiche technique

Délai de livraison produit non stocké 25 Semaines

Bande coupée

13,55 €

9,54 €

8,03 €

Bobine

7,50 €

Min. : 1
Mult. : 1

: 1.000

SMD/SMT

H2PAK-7

1 Channel

650 V

55 A

27 mOhms

- 10 V, 22 V

4.2 V

79.4 nC

- 55 C

+ 175 C

385 W

Enhancement

650V 3rd Gen SiC MOSFETs

Bureau du Service Client

Société

Ressources

Assistance