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IMZA65R083M1HXKSA1

Name: Infineon IMZA65R083M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMZA65R083M1HXKS
Price: 4.11 EUR
Availability: Discontinued

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N° Mouser :

726-IMZA65R083M1HXKS

N° de fab. :

IMZA65R083M1HXKSA1

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

Cycle de vie:

NRND:

Non recommandé pour de nouvelles conceptions.

Fiche technique:

IMZA65R083M1HXKSA1 Fiche technique (PDF)

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	26 A
Rds On - Résistance drain-source:	111 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 5 V, + 23 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	5.7 V
Qg - Charge de grille:	19 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	104 W
Mode canal:	Enhancement
Marque:	Infineon Technologies
Conditionnement:	Tube
Type de produit:	SiC MOSFETS
Nombre de pièces de l'usine:	240
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Raccourcis pour l'article N°:	IMZA65R083M1H SP005423798

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Infineon's Latest Power and Sensing Guide (PDF)

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Codes de conformité

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Autriche
Pays d'origine de l'assemblage:: Chine
Pays de diffusion:: Autriche

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

MOSFET CoolSiC™ 650 V

Les MOSFET CoolSiC ™ 650 V Infineon Technologies combinent la force physique du carbure de silicium avec des caractéristiques d’amplification des performances, de fiabilité et de facilité d’utilisation du composant. Grâce à son procédé de semi-conducteur à tranchée de pointe, le MOSFET CoolSiC™ offre les pertes les plus faibles de l’application et la plus haute fiabilité de fonctionnement. CoolSiC est idéal pour une utilisation dans les applications à haute température et dans les environnements difficiles.

MOSFET de puissance à tranchée CoolSiC™ M1 650 V

Les MOSFET de puissance à tranchée CoolSiC ™ M1 650 V d'Infineon Technologies combinent les caractéristiques physiques solides du carbure de silicium avec des caractéristiques uniques qui augmentent la performance, la robustesse et la facilité d'utilisation du dispositif. Les MOSFET CoolSiC M1 s'appuient sur un processus de semiconducteur à tranchée de pointe optimisé pour fournir les pertes d'application les plus faibles et la fiabilité la plus élevée en fonctionnement. Adaptés aux températures élevées et aux opérations difficiles, ces dispositifs permettent le déploiement simplifié et économique d'un système de la plus haute efficacité.

PRODUITS PRÉSENTÉS

INFINEON

MOSFET CoolSiC™ automobile 750 V G2

Conçus pour répondre aux exigences strictes des applications dédiées aux véhicules électriques (VE).

MOSFET SiC G2 1 400 V CoolSiC™

Offre des performances thermiques améliorées, une densité de puissance accrue et une fiabilité améliorée.

MOSFET en carbure de silicium G2 de 750 V CooSiC™

MOSFETs qualifiés pour l’automobile et l’industrie avec une résistance à l’état passant drain-source maximale jusqu’à 78 mΩ.

MOSFET au carbure de silicium CoolSiC™ 400 V G2

Spécialement conçu pour une utilisation dans l'étage CA/CC des alimentations de serveurs d'IA et des systèmes de stockage d'énergie solaire.

MOSFET à super-jonction CoolMOS™ 8

Solutions de technologie MOSFET à super-jonction haute tension.

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