MOSFET au carbure de silicium (SiC) NVH4L050N170M1

Les MOSFET en carbure de silicium (SiC) NVH4L050N170M1 d'onsemi offrent des performances exceptionnelles avec une RDS(on) standard de 53 mΩ à VGS = 20 V. Les MOSFET NVH4L050N170M1 d'onsemi sont optimisés pour une tension de grille de 20 V. Les dispositifs fonctionnent également efficacement avec un pilote de grille 18 V doté d'une tension de grille négative et de pics de coupure réduits. Ces dispositifs offrent une charge de grille totale ultra-faible (105 nC), une commutation à haute vitesse avec une faible capacité (Coss = 98 pF) et un test d'avalanche à 100 % pour une fiabilité optimale.

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