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CGHV40200PP

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N° Mouser :

941-CGHV40200PP

N° de fab. :

CGHV40200PP

Fab. :

MACOM

Description :

FET GaN GaN HEMT DC-2.5GHz, 180 Watt

Fiche technique:

CGHV40200PP Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	MACOM
Catégorie du produit:	FET GaN
Restrictions en matière d'expédition :	Mouser ne vend pas actuellement ce produit dans votre région.
RoHS:
Style de montage:	Screw Mount
Package/Boîte:	440199
Polarité du transistor:	N-Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	150 V
Id - Courant continu de fuite:	8.7 A
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	- 3 V
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	166 W
Marque:	MACOM
Configuration:	Single
Kit de développement:	CGHV40200PP-AMP1
Gain:	16.1 dB
Fréquence de fonctionnement max.:	1.9 GHz
Fréquence de fonctionnement min.:	1.7 GHz
Alimentation en sortie:	250 W
Conditionnement:	Tray
Type de produit:	GaN FETs
Nombre de pièces de l'usine:	25
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Type de transistor:	GaN HEMT
Vgs - Tension de rupture grille-source:	- 10 V, 2 V

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Fiche technique

CGHV40200PP Fiche technique (PDF)

PCN

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Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: 3A001.b.3.a.4

Classifications d’origine

Pays d'origine:: États-Unis
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

CGHV40200PP GaN HEMT

MACOM CGHV40200PP Gallium Nitride (GaN) High Electron Mobility Transistor (HEMT) operates from a 50V rail and offers a broadband solution to RF and microwave applications. This transistor provides high efficiency, high gain, and wide bandwidth capabilities, making it ideal for linear and compressed amplifier circuits. MACOM CGHV40200PP GaN HEMT is available in a 4-lead flange package. Typical applications include 2-way radio, broadband amplifiers, radar amplifiers, and test instrumentation.