MOSFET à canal N en silicium XPHx06NC automobile

Les MOSFET à canal N en silicium XPHx06NC de Toshiba sont des MOSFET à canal N simple 60 V qui sont disponibles en boîtiers petits et minces. Ces MOSFET sont stockés dans une plage de température de -55 °C à 175 °C et fonctionnent à 175 °C. Les MOSFET à canal N en silicium XPHx06NC sont homologués AEC-Q101 et compatibles RoHS. Les applications typiques comprennent l'automobile, les pilotes de moteur, les régulateurs de tension de commutation et les convertisseurs CC-CC.

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Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie Style de montage Package/Boîte Polarité du transistor Nombre de canaux Vds - Tension de rupture drain-source Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Vgs - Tension grille-source Vgs th - Tension de seuil grille-source Qg - Charge de grille Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Pd - Dissipation d’énergie Mode canal Conditionnement
Toshiba MOSFET 7.568En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5.000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 60 V 70 A 2.6 mOhms - 10 V, 10 V 1.5 V 65 nC - 55 C + 175 C 132 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Toshiba MOSFET
11.16120/02/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5.000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 60 V 110 A 1.7 mOhms - 10 V, 10 V 1.5 V 104 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel