MOSFET de puissance automobile à canal N R800xxND3FRA

Les MOSFET de puissance automobile à canal N R800xxND3FRA de ROHM Semiconductor  sont des MOSFET à faible résistance à l'état passant avec des circuits de pilotage simples. Ces MOSFET disposent d'un retard de commutation rapide, d'un placage sans plomb et sont homologués AEC-Q101. Les MOSFET   R800xxND3FRA sont disponibles en boîtiers DPAK (TO-252). Les MOSFET R800xxND3FRA de ROHM Semiconductor  sont adaptés aux alimentations de commutation.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Qualification
Conditionnement
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor MOSFET, Nch 800V 7A 1st Gen, for Auto
Fiche technique
Commentaire Produit
4.783En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.500

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 800 V 7 A 1.6 Ohms - 30 V, 30 V 5 V 28 nC - 55 C + 150 C 140 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor MOSFET, Nch 800V 1A 1st Gen, for Auto w/ESD Protect
Fiche technique
Commentaire Produit
3.165En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.500

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 800 V 1 A 8.7 Ohms - 30 V, 30 V 5.5 V 7.2 nC - 55 C + 150 C 36 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET TO252 800V 2A N-CH
Fiche technique
Commentaire Produit
2.857En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.500

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 800 V 2 A 4.3 Ohms - 30 V, 30 V 5.5 V 12.1 nC - 55 C + 150 C 69 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel