MMFTP3334K P-Channel Enhancement Mode FET

Diotec Semiconductor MMFTP3334K P-Channel Enhancement Mode FET offers fast switching times, high drain current (4A maximum), and low on-state resistance in a SOT-23 (TO-236) package. The MMFTP3334K FET features a 30V maximum drain-source voltage, 1000mW maximum power dissipation, and 5.9nC typical total gate charge in a -50°C to +150°C junction temperature range. The Diotec Semiconductor MMFTP6312D Dual P-Channel MOSFET is ideal for signal processing, drivers, and logic-level converters.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Qualification
Nom commercial
Conditionnement
Diotec Semiconductor MOSFET MOSFET, SOT-23, -30V, -4A, 150C, P
Fiche technique
7.194En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SOT-23 MMFTP3334K Reel, Cut Tape
Diotec Semiconductor MOSFET MOSFET, SOT-23, -30V, -4A, 150C, P, AEC-Q101
Fiche technique
5.867En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23 P-Channel 1 Channel 30 V 4 A 71 mOhms - 20 V, 20 V 1.4 V 5.9 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 MMFTP3334K-AQ Reel, Cut Tape, MouseReel